微電子學(xué)概論ch2mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管(存儲(chǔ)版)
【正文】 下一頁 上一頁 UDS ID + + + + UGS 反型層 。此時(shí)的 漏極電流 ID 基本飽和，為飽和區(qū)。 3. 柵源極間的 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，將出現(xiàn)較大的柵極電流。 但當(dāng) UGS較小時(shí)，耗盡區(qū)寬度有限，存在導(dǎo)電溝道。 UGS 對(duì)導(dǎo)電性能的影響 下一頁 上一頁 UDS=0V時(shí) P G S D USD UGS N N ID UGS越大耗盡區(qū)越寬，溝道越窄，電阻越大。 ID 下一頁 上一頁 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的缺點(diǎn)： 1. 柵源極間的電阻雖然可達(dá) 107以上，但在某些場(chǎng)合仍嫌不夠高。在 UDS作用下 ID線性變化，為線性區(qū) 下一頁 上一頁 ? 當(dāng) UDS增加到使 UGD=UT時(shí)， ?當(dāng) UDS增加到 UGD?UT時(shí)， 這相當(dāng)于 UDS增加使漏極處溝道縮減到剛剛開啟的情況，稱為 預(yù)夾斷 。對(duì)應(yīng) ID=0的 UGS稱為夾斷電壓，用符號(hào)UP表示。 ?當(dāng) UDS增加到一定程度， ID可能 隨 UDS迅速增加，直至 pn結(jié)擊穿， 為擊穿區(qū) ,此時(shí) UDS為泄漏擊穿電壓 。 表面空間電荷層和反型層 N溝道 下一頁 上一頁 － － － － － － － － P VG0 多子被吸引表面 － － － － － － － － P VG0 半導(dǎo)體內(nèi)的變化并不顯著 表面空間電荷層和反型層 下一頁 上一頁 OUTLINE 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MIS結(jié)構(gòu) MOS電容結(jié)構(gòu) MOSFET 下一頁 上一頁 電容的含義 ?平行板電容器 +Q Q E d + V 面積 A 電容 C定義為： Q V C＝ 斜率 AdVQC ???直流和交流時(shí)均成立 下一頁 上一頁 MOS結(jié)構(gòu)的電容 ?交流電容 交流電容 C定義為： +Q Q E d + V 面積 A +?Q ?Q
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