雙極和mos晶體管ppt課件-資料下載頁
2025-01-14 10:46本頁面
【正文】 X)， 使 絕緣層 擊穿 ， 造成 MOS 管永久性損壞 。 MOS 管保護措施： 分立的 MOS 管： 各極引線短接、烙鐵外殼接地。 MOS 集成電路： T D2 D1 D D2 一方面限制 VGS 間最大電壓 ， 同時對感生電荷起旁路作用 。 微電子技術基礎 N溝道耗盡型 MOS管 結(jié)構示意圖 在柵極下方的 SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。所以當 VGS=0時，這些正離子已經(jīng)在 P型表面感應出反型層，在漏源之間形成了溝道。于是只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。 轉(zhuǎn)移特性曲線 微電子技術基礎 耗盡型與增強型 MOS管的差異 耗盡型： 當 VGS＝ 0 時，存在導電溝道， ID≠0 增強型： 當 VGS＝ 0 時，沒有導電溝道， ID＝ 0 電路符號 微電子技術基礎 PMOS場效應管 PMOS管結(jié)構和工作原理與 NMOS管類似，但正常放大時所外加的直流偏置極性與 NMOS管相反。 PMOS管的優(yōu)點是工藝簡單，制作方便；缺點是外加直流偏置為負電源，難與別的管子制作的電路接口。 PMOS管速度較低，現(xiàn)已很少單獨使用，主要用于和 NMOS管構成 CMOS電路。 微電子技術基礎 場效應管參數(shù) 開啟電壓 VGS(th) (或 VT) 開啟電壓是 MOS增強型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值 , 場效應管不能導通。 夾斷電壓 VGS(off) (或 VP) 夾斷電壓是耗盡型 FET的參數(shù)，當VGS=VGS(off) 時 ,漏極電流為零。 微電子技術基礎 場效應管參數(shù) 當 VGS=0時， VDS|VP|時所對應的漏極電流。 輸入電阻 RGS MOS管由于柵極絕緣，所以其輸入電阻非常大，理想時可認為無窮大。 飽和漏極電流 IDSS 微電子技術基礎 場效應管參數(shù) 低頻跨導指漏極電流變化量與柵壓變化量的比值，可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取。 最大漏極功耗 PDM 最大漏極功耗可由 PDM= VDS ID決定，與雙極型三極管的 PCM相當。 低頻跨導 gm DSDmVGSigv???? ?2 n G S TNK V V??2()D n G S TNi K v V??以 MOS管為例 微電子技術基礎 BJT與 FET的比較 雙極型三極管 場效應三極管 結(jié)構 NPN型， PNP型 C與 E不可倒置使用 結(jié)型耗盡型： N溝道 P溝道 絕緣柵增強型： N溝道 P溝道 絕緣柵耗盡型： N溝道 P溝道 D與 S可倒置使用 載流子 多子、少子均參與導電 多子參與導電 輸入量 電流輸入 電壓輸入 控制 電流控制電流 電壓控制電流
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