三極晶體管參數培訓資料-資料下載頁
2025-08-16 01:05本頁面
【正文】 ? V(BR)：擊穿電壓 ? IR：反向電流 2022/8/31 28 通常，三極管的參數主要可分為三類： 1. 直流參數； 2. 交流參數； 3. 極限參數。 2022/8/31 29 ? hFE：也稱 β ， 共發(fā)射極靜態(tài)放大倍數。 ? ICBO ：發(fā)射極開路，集電極－基極反向截止電流 ? ICEO ：基極開路，集電極－發(fā)射極反向截止電流 ? IEBO ：集電極開路，基極－發(fā)射極反向截止電流 ? VCEsat：發(fā)射極 集電極飽和電壓 2022/8/31 30 ? tS：存儲時間。 ? tf：下降時間 。 ? tr： 上升時間 。 ? fT：特征頻率 。 2022/8/31 31 ? BVCEO：基極開路 ,集電極－發(fā)射極反向擊穿電壓。 ? BVCBO：發(fā)射極開路 ,集電極－基極反向擊穿電壓。 ? BVEB：集電極開路 ,發(fā)射結反向擊穿電壓。 ? ICM：集電極電流。 ? PCM：集電極最大耗散功率。 2022/8/31 32 IGT:門極觸發(fā)電流 VTM:通態(tài)壓降 VDRM:斷態(tài)重復峰值電壓 VGKF:門極 陰極正向壓降 2022/8/31 33 四 .三極管關鍵參數詳解： hFE:共發(fā)射極靜態(tài)放大倍數。 =IC/IB IC注入？ IB注入？ 決定的因素： ； Wb, 反相關； ，反相關； hFE變化特性： 小電流現象： Ic變小， hFE變小； 大電流現象： Ic變大， hFE變?。? Icm定義： hFE=1/2hFE（ max）時的， C極注入電流； 2022/8/31 34 四 .三極管關鍵參數詳解： BVCB0:發(fā)射極開路 ,集電極－基極反向擊穿電壓 決定的因素： ； ； ； 實際上，還與版圖工藝的匹配情況有關； 基區(qū)與集電區(qū)的距離 2022/8/31 35 四 .三極管關鍵參數詳解： BVCE0:基極開路 ,集電極－發(fā)射極反向擊穿電壓。 決定的因素： 1. hFE； 2. BVCB0； 實際上的因素： 1. hFE【 小電流 】 ； 2. BVCB0【 本征材料 】 ； 2022/8/31 36 四 .三極管關鍵參數詳解： tS：存儲時間。 決定的因素： 1. 集電區(qū)少子的壽命； 討論： 1. 芯片面積； 2. 集電區(qū)面積； 3. 表面態(tài)； 4. 版面； 2022/8/31 37 四 .三極管關鍵參數詳解： VCESAT:發(fā)射極 集電極飽和電壓。 決定的因素： 1. RB； 2. RC； 實際上的因素： 1. 材料：與 BVCE0正相關； 2. 基區(qū)的濃度； 3. 發(fā)射區(qū)濃度； 4. 圓片的尺寸； 5. 圓片背面接觸： 6. 測試條件 ：非決定性因素；
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