【正文】 散層薄層電阻其中， □□39。39。39。2beebbjceebbbRLSRxLSr???? ?80 二、梳狀結(jié)構(gòu)晶體管的基極電阻 rb3 Sb Le xjc 與 rb1情況類(lèi)似 ， 截面電流隨 x線性變化 ， 雖然沒(méi)有復(fù)合 ， 沒(méi)有注入 。 x 0 ebbb LSRr1239。3?? □以單發(fā)射極條和雙基極條計(jì)算 二、梳狀結(jié)構(gòu)晶體管的基極電阻 Rcon Ib 基極金屬電極與半導(dǎo)體的接觸電阻 。 為金半歐姆接觸系數(shù)。其中 39。39。cebcc o nRLSRR??以單發(fā)射極條和雙基極條計(jì)算 時(shí)，為多極條的一半。 )12212(1)(112212)(2139。39。39。32139。39。39。321ebcebbeebbeebc o nbbbbebcebbeebbeebc o nbbbbLSRLSRLSRLSRnRrrrnrLSRLSRLSRLSRRrrrr????????????????????????□□□□□□? 集成電路的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)需要簡(jiǎn)單而精確的器件模型 ? EM 方程的建立 ， 是為了用計(jì)算機(jī)來(lái)模擬 BJT 的特性 。 目前 BJT 的模型有兩種： ? EM 模型和 GP 模型 。 ? EM模型是最早的將器件物理參數(shù)與終端特性相聯(lián)系的數(shù)學(xué)模型 ? 模型越精確 ， 建模就越復(fù)雜 ， 因而要折中考慮 ? EM模型簡(jiǎn)單而實(shí)用 ， 是計(jì)算機(jī)模擬的基本模型 ? 其簡(jiǎn)單形式只需 3個(gè)獨(dú)立參數(shù) ? 計(jì)入串聯(lián)電阻 、 勢(shì)壘電容及厄爾利效應(yīng) ， 參數(shù)增至 9個(gè) ? 進(jìn)一步發(fā)展的 GP（ GummelPoon） 模型 ， 也稱(chēng)積分電荷控制模型 ， 更為精確 ， 但參數(shù)達(dá) 25個(gè) ， 簡(jiǎn)化后回到 EM模型 167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 ? EM模型是一種非線性直流模型 ， 未考慮器件中的電荷存儲(chǔ)效應(yīng) ， 為與后來(lái)的改進(jìn)模型相區(qū)別 ， 記作 EM1 ? 計(jì)及非線性電荷存儲(chǔ)效應(yīng)及歐姆電阻等 ， 構(gòu)成二級(jí)復(fù)雜程度的 EM2 ? 包括基區(qū)寬度調(diào)制 、 大電流下 ?及正向渡越時(shí)間 ?的變化 、 集電結(jié)電容的分布性及器件參數(shù)隨溫度的變化等二階效應(yīng) ， 構(gòu)成 EM3（ 與 GP模型等價(jià) ） ? EM1基于電流 電壓方程： ? IV方程側(cè)重描述結(jié)構(gòu)參數(shù)與 IV關(guān)系 ? EM模型側(cè)重器件終端特性 ， 適于電路模擬 ， 而將器件參數(shù)歸納成為模型參數(shù) ? 從 EM模型理解開(kāi)路 、 短路飽和電流及其相互關(guān)系 ， 進(jìn)一步理解 pn結(jié)的相互作用 167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 ? EM 模型把晶體管看成由一個(gè)正向晶體管和一個(gè)反向晶體管疊加而成 。 ? 晶體管中的兩個(gè) pn 結(jié)分別用兩個(gè)二極管來(lái)代表 ? 而基區(qū)載流子的傳輸特性則由電流源來(lái)代替 ? 1954 年 Ebers 和 Moll 提出的原始型 EM 方程 ? 適用于 BJT 所有的工作區(qū) ? 簡(jiǎn)單直觀 ， 物理概念清晰 ? BJT 是由兩個(gè)背靠背的 pn 結(jié)構(gòu)成的 167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 )1(VInp0 ???kTqV AeII特性結(jié)的??????????????)1()1()1()1(B J Tnp22211211kTqVkTqVCkTqVkTqVECECEeaeaIeaeaI結(jié)構(gòu)成兩個(gè)167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 定義參數(shù)： ? ?F：共基極正向電流增益，發(fā)射結(jié)正偏，集電 結(jié)零偏時(shí)的 ? ? ?R：共基極反向電流增益，發(fā)射結(jié)零偏，集電結(jié)正偏時(shí)的 ? ? IEBO：集電極 開(kāi)路 時(shí)的發(fā)射結(jié)反向飽和電流 ? ICBO：發(fā)射極 開(kāi)路 時(shí)的集電結(jié)反向飽和電流 ? IES ：集電極 短路 時(shí)的發(fā)射結(jié)反向飽和電流 ? ICS ：發(fā)射極 短路 時(shí)的集電結(jié)反向飽和電流 RFC B OCSRFEBOESIIII???? ???? 1。1167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 ??????????????)1()1()1()1(B J Tnp22211211kTqVkTqVCkTqVkTqVECECEeaeaIeaeaI結(jié)構(gòu)成兩個(gè)?????????????????????????????)1()1()1()1( )1()1()1()1( 4kTqVCSkTqVESFCkTqVCSRkTqVESEkTqVCSkTqVESFCkTqVCSRkTqVESEijCBEBCBEBCBEBCBEBeIeIIeIeIIp n peIeIIeIeIIn p nME????? 方程，得到原始型代系數(shù)個(gè)可以被測(cè)量的參數(shù)取用167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 ???????????????????????????????????????)(c s c)()(00000nbbnbbnbESFCSRpccpcnbbnbbnbCSpeepenbbnbbnbESLWhLnqDAIαIαLPqDLWc t hLnqDAILPqDLWc t hLnqDAI稱(chēng)為埃 莫方程的 互易定理 本質(zhì)：晶體管 eb結(jié)與 cb結(jié)有共同部分 —— 基區(qū) ， 無(wú)論哪一個(gè)結(jié)短路 ， 另一個(gè)反偏結(jié)的反向飽和電流都含有共同的部分 —— 基區(qū)少 子擴(kuò) 散電流 （ 反向 抽取 ） 。 qkTVV cc ??? ，且089 167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 EM模型基本方程還可用開(kāi)路飽和電流 IEBO、 ICBO表示 ???????????)1()1(kTqVC B OEFCkTqVE B OCRECBEBeIIIeIII??90 167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 ???????????)1()1(kTqVC B OEFCkTqVE B OCRECBEBeIIIeIII????????????????)1()1()1()1(kTqVCSkTqVESFCkTqVCSRkTqVESECBEBCBEBeIeIIeIeII??兩組方程的等價(jià)性 ??????????CSC B OESEBORFC B OCSRFEBOESIIIIIIII???? 1。1 21管，因而有但反映的是同一個(gè)晶體、開(kāi)路飽和電流、使用參數(shù)不同：短路向不同同定義等效電路電流方、參照點(diǎn)（自變量）不91 167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 ])([ )1( 0])([ )1( 00000pccpcnbbnbbnbCSkTqVCSCEpeepenbbnbbnbESkTqVESECLPqDLWc t hLnqDAIeIIVLPqDLWc t hLnqDAIeIIVCE??????????短路時(shí)： ][ )1( 0][ )1( 00000pccpcnbbnbCB OkTqVCB OCEpeepenbbnbE B OkTqVE B OECLPqDLnqDAIeIIILPqDLnqDAIeIIICE??????????開(kāi)路時(shí)：)(nbbFRbnb LWc t hWL 相差一個(gè)、所決定的由電流關(guān)系取決于可見(jiàn)，短路、開(kāi)路飽和、 ??Wb Lnb nb0 對(duì)應(yīng) IES(ICS) 對(duì)應(yīng) IEBO(ICBO) 92 167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 傳輸型 EM方程 93 167。 — 莫爾（ EbersMoll）模型 EM模型的有關(guān)概念 ???????????????????????)1()11()1()1()1()11( ME1 1kTqVSRkTqVSEkTqVSkTqVSFERRRFFFCBEBCBEBeIeIIeIeIInpn????????方程，整理得到：將上述關(guān)系帶入原始型系：基極電流增益之間的關(guān)共發(fā)射極電流增益與共94 本章小結(jié)：