晶體管的開關(guān)特性ppt課件-資料下載頁
2025-04-30 18:47本頁面
【正文】 章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理 為使晶體管具有良好的開關(guān)狀態(tài)，有以下 五個(gè)要求 ：（ 1） ICE0小，使開關(guān)電路截止時(shí)接近于斷路（開路），關(guān)斷性良好；（ 2） VCES小，使開關(guān)電路接通時(shí)接近于短路狀態(tài)，接通性良好；（ 3） 開關(guān)時(shí)間盡可能短，這點(diǎn)將在以后內(nèi)容中詳細(xì)分析；（ 4） 啟動(dòng)功率小，啟動(dòng)功率是晶體管從截止態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)轱柡蛻B(tài)時(shí)所需的功率 IBVBES；（ 5） 開關(guān)功率大，即要求在截止態(tài)時(shí)能承受較高的反向電壓，在導(dǎo)通時(shí)，允許通過較大的電流； 半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理 非飽和開關(guān)電路 ：工作在截止區(qū)和放大區(qū)，開關(guān)速度快，但對晶體管的參數(shù)均勻性要求高，輸出電平也不夠穩(wěn)定。 飽和開關(guān)電路： 工作在截止區(qū)和飽和區(qū)，輸出電平較穩(wěn)定，對晶體管參數(shù)的均勻性要求不高，電路設(shè)計(jì)簡單；只是開關(guān)速度慢。飽和開關(guān)電路和非飽和開關(guān)電路的比較半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理開關(guān)過程的動(dòng)態(tài)分析（ NPN管）延遲過程上升過程超量儲存電荷消失過程下降過程半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理延遲過程t=t1時(shí)， IC才上升到 ，時(shí)間 td= t1 t0稱為 延遲時(shí)間 。 上升過程在 t=t2時(shí)刻， IC達(dá)到 ， tr=t2 t1稱為 上升時(shí)間 。 上升過程中，由于電流過驅(qū)動(dòng)而儲存電荷上升過程中，由于電流過驅(qū)動(dòng)而儲存電荷，載流子積累過程中存在載流子的復(fù)合，復(fù)合，載流子積累過程中存在載流子的復(fù)合，復(fù)合使積累速度變慢。使積累速度變慢。半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理超量儲存電荷消失過程當(dāng) t=t4時(shí)， IC=，定義 ts=t4t3為 儲存時(shí)間 。 下降過程 集電極電流 IC也就從 ，在t=t5時(shí)， IC=，定義 tf= t5 t4為 下降時(shí)間 。 下降過程是上升過程的逆過程，下降過程下降過程是上升過程的逆過程，下降過程中同樣存在載流子的復(fù)合，而復(fù)合使下降速度中同樣存在載流子的復(fù)合，而復(fù)合使下降速度變快。變快。半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理開啟時(shí)間（關(guān)態(tài) → 開態(tài) ）關(guān)斷時(shí)間（開態(tài) → 關(guān)態(tài) ）半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理開關(guān)時(shí)間與脈沖持續(xù)時(shí)間的關(guān)系 若晶體管的開關(guān)時(shí)間比輸入脈沖持續(xù)時(shí)間短，它就有良好的開關(guān)作用；反之，開關(guān)時(shí)間與脈沖持續(xù)時(shí)間相近甚至更長時(shí)，晶體管就難以起到開關(guān)的作用了。
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