雙極型晶體管ppt課件-資料下載頁
2024-12-08 03:40本頁面
【正文】 iB= 20℃ 0 安全工作區(qū) CMC Ii ?( B R ) C EOCE Uu ?CMC PP ?CECCM uiP ??工作在放大區(qū) (B R )C EOUCMI第三節(jié) （四）頻率參數(shù) 用來評(píng)價(jià)晶體管高頻放大性能 β 1000 100 10 1 β0 410 510 610 710 810βf Tf )H( Zfβ 的頻率特性 β0 表示低頻時(shí)的 β值 ff ?? ?T是 β下降到 β0的 βf是 β下降到 1時(shí) Tf 的頻率 Tf βfβff ?時(shí) 第三節(jié) （一）溫度對(duì) ICBO的影響 （二）溫度對(duì) β的影響 （ 三）溫度對(duì) uBE的影響 五、溫度對(duì)晶體管參數(shù)的影響 第三節(jié) （一）溫度對(duì) ICBO的影響 ICBO是少子形成的電流，隨 T↑ 而增加。 C E OBC Iii ?? ?CBOC E O )1( II ???ICEO也 隨 T↑而增加 輸出特性曲線向上平移 （二）溫度對(duì) β的影響 溫度升高時(shí)， β隨之增大。 體現(xiàn)在輸出特性曲線的間隔距離增大 溫度對(duì)輸出特性曲線的影響 第三節(jié) 0 2 4 2 6 8 10 1 3 4 iC(mA) uCE(V) 0 0 20 20 40 40 iB=60μA iB=60μA C100?C25?（三）溫度對(duì) uBE的影響 0 iB(μA) uBE(V) 20 40 60 80 25℃ 150℃ uCE=2V 溫度對(duì)輸入特性曲線的影響 溫度升高，曲線向左移， 即當(dāng) iB一定時(shí)， uBE下降。 溫度每升高 1℃ ， uBE約減小 ~。 T↑→ uBE↓ ICBO↑ β↑ →iC↑ 第三節(jié) 本節(jié)知識(shí)要點(diǎn) 一、晶體管的放大作用 晶體管放大作用主要依靠它的發(fā)射極電流能通過基極傳輸，然后到達(dá)集電極實(shí)現(xiàn)的。為保證這個(gè)傳輸過程，必須滿足兩個(gè)條件。 1. 內(nèi)部條件：基區(qū)很?。话l(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度。 2. 外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。 晶體管具有確定的電流分配關(guān)系。如輸入電流 iB（或 iE）確定，輸出電流 iC就確定。表征晶體管電流控制作用的參數(shù)為電流放大系數(shù) β和 α。 二、晶體管電流分配關(guān)系 記住公式： ????? 1第三節(jié) 三、晶體管特性曲線 iB(mA) 0 uBE(V) 20℃ 5V 1V uCE=0V 1. 輸入特性 2. 輸入特性 iC(mA) 0 2 4 6 8 10 12 14 4 6 8 10 12 uCE(V) iB=0 20℃ 2 放大區(qū) 飽和區(qū) 截止區(qū) uCES 晶體管有截止、放大、飽和三個(gè)工作區(qū)域，學(xué)習(xí)時(shí)應(yīng)特別注意使管子在不同工作區(qū)的外部條件。 1. 截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏。 ： iB≤0 ； i C≤ICEO 3. 飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏。 2. 放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 第三節(jié) 四、晶體管的參數(shù) β、 α、 ICBO（ ICEO）、 ICM、 U(BR)CEO、 PCM和 fM是它的主要參數(shù)。 晶體管安全工作區(qū)： CMC Ii ?( B R ) C EOCE Uu ?。CMC PP ?工作在放大區(qū) iC(mA) 60 30 20 10 10 20 30 40 50 0 uCE(V) iB= 20℃ 0 CECCM uiP ??(B R )C EOUCMI溫度對(duì)參數(shù)的影響： T↑→ uBE↓ ICBO↑ β↑ →iC↑ 第三節(jié)
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