mos晶體管ppt課件-資料下載頁
2025-05-05 18:16本頁面
【正文】 管不同之處在于 ， 耗盡型 MOS管在 vGS=0時 ， 導電溝道已經存在 ， 它是通過加工過程中的離子注入方式形成的 。 圖 PMOS晶體管 MOS晶體管工作原理 圖 導電溝道沒有形成 當 MOS管柵極上沒有外加電壓時 ， MOS管的漏區(qū)和源區(qū)被兩個二極管隔開 ， 如圖 ， 源區(qū)和漏區(qū)之間沒有導電溝道形成 ， 呈現(xiàn)出高阻狀態(tài) 。 這時候 ， 如果在漏極和源極間外加電壓vDS， 漏區(qū)到源區(qū)之間始終不會有電流流過 。 圖 柵 源電壓 vGS控制導電溝道寬窄 TGSDS Vvv ??（ a） TGSDS Vvv ??（ b） TGSDS Vvv ??（ c） 圖 NMOS管的工作狀態(tài)示意圖 MOS晶體管的電流電壓關系 非飽和區(qū)（線性電阻區(qū)） ? ? ?????? ??? 221DSDSTGSD vvVvLWKI （ ） ? ?22TGSDVvLWKI ?? （ ） 飽和區(qū)（線性放大區(qū)） 輸出特性曲線 圖 NMOS晶體管輸出特性曲線 MOS晶體管主要特性參數 閾值電壓 ? ?FSBF V ?????? 22VV T0T ?oxSSoxBFms CQCQ ?????? 0T 2VqNC insox??? 021?一種形式： 另一種形式： 跨導 常數????DSvGSvdimg
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