mos管反相器ppt課件-資料下載頁
2025-05-05 18:15本頁面
【正文】 動態(tài)反相器 動態(tài)有比反相器 動態(tài)無比反相器 圖 動態(tài)無比反相器 延遲 （ a）反相器 （ b）輸入從邏輯 0跳變到邏輯 1 （ c）輸入從邏輯 1跳變到邏輯 圖 反相器產(chǎn)生延遲 圖 兩級 CMOS反相器級聯(lián) （ a）充電模型 （ b）放電模型 圖 延遲模型 （ a）充電過程 圖 主要電阻和電容來源 （ b）放電過程 功耗 CMOS反相器的耗功 P由兩部分組成 ， （ 1） 靜態(tài)功耗 ， 即反向漏電造成的功耗 PD； （ 2） 動態(tài)功耗 ， 即反相器電平發(fā)生跳變時產(chǎn)生的功耗 。 靜態(tài)功耗 圖 CMOS反相器的穩(wěn)態(tài)時沒有電流 圖 NMOS反相器穩(wěn)態(tài)會產(chǎn)生電流 動態(tài)功耗 以 CMOS反相器為例來分析動態(tài)功耗 。 在輸入信號從邏輯 0到邏輯 1的跳變或輸入信號從邏輯 1到邏輯 0跳變的瞬間 ，CMOS反相器的 NMOS晶體管和 PMOS晶體管都處于導通狀態(tài) ，這導致一個從電源 VDD到地的窄電流脈沖 。 同時為了對負載電容進行充電和放電 ， 也需要有電流流動 ， 這將引起功耗 。 通常 ， 對負載電容的充電和放電所需要的電流是造成動態(tài)功耗的主要因素 。 以圖 ， 由于對負載電容的充電和放電所引起的平均動態(tài)功耗為： fVCP DDLT ??? 2式中 ， f是輸入脈沖信號變化頻率 ， CL是延遲模型中的電容 ， 如圖 。
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