mos管反相器ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-05 18:15本頁(yè)面
【正文】 動(dòng)態(tài)反相器 動(dòng)態(tài)有比反相器 動(dòng)態(tài)無(wú)比反相器 圖 動(dòng)態(tài)無(wú)比反相器 延遲 （ a）反相器 （ b）輸入從邏輯 0跳變到邏輯 1 （ c）輸入從邏輯 1跳變到邏輯 圖 反相器產(chǎn)生延遲 圖 兩級(jí) CMOS反相器級(jí)聯(lián) （ a）充電模型 （ b）放電模型 圖 延遲模型 （ a）充電過(guò)程 圖 主要電阻和電容來(lái)源 （ b）放電過(guò)程 功耗 CMOS反相器的耗功 P由兩部分組成 ， （ 1） 靜態(tài)功耗 ， 即反向漏電造成的功耗 PD； （ 2） 動(dòng)態(tài)功耗 ， 即反相器電平發(fā)生跳變時(shí)產(chǎn)生的功耗 。 靜態(tài)功耗 圖 CMOS反相器的穩(wěn)態(tài)時(shí)沒(méi)有電流 圖 NMOS反相器穩(wěn)態(tài)會(huì)產(chǎn)生電流 動(dòng)態(tài)功耗 以 CMOS反相器為例來(lái)分析動(dòng)態(tài)功耗 。 在輸入信號(hào)從邏輯 0到邏輯 1的跳變或輸入信號(hào)從邏輯 1到邏輯 0跳變的瞬間 ，CMOS反相器的 NMOS晶體管和 PMOS晶體管都處于導(dǎo)通狀態(tài) ，這導(dǎo)致一個(gè)從電源 VDD到地的窄電流脈沖 。 同時(shí)為了對(duì)負(fù)載電容進(jìn)行充電和放電 ， 也需要有電流流動(dòng) ， 這將引起功耗 。 通常 ， 對(duì)負(fù)載電容的充電和放電所需要的電流是造成動(dòng)態(tài)功耗的主要因素 。 以圖 ， 由于對(duì)負(fù)載電容的充電和放電所引起的平均動(dòng)態(tài)功耗為： fVCP DDLT ??? 2式中 ， f是輸入脈沖信號(hào)變化頻率 ， CL是延遲模型中的電容 ， 如圖 。
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