mos結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-01-14 07:18本頁(yè)面
【正文】 耗盡與反型的過渡區(qū)，不能用 ?耗盡近似，需對(duì)電荷的分布進(jìn)行精確的分析 圖 用 ?耗盡近似理論得到的高 低頻 CV特性 (X0=?m,ND=1015/cm3, T=300k) 圖 摻雜濃度對(duì) MOS電容高頻特性的影響 n型 P型 由精確電荷理論計(jì)算得到的 CV特性，其中 xo=?m,T=300k 隨摻雜濃度的提高，高頻反型電容增大，耗盡偏置區(qū)將大大展寬。因?yàn)閾诫s濃度提高，半導(dǎo)體的 ?F增加，要使 ?s=2?F,需要更大的 VT。 反型時(shí)電容隨摻雜濃度增加而增大，因 WT隨 ND的增加而減小。 ssAoOSSG KqNxKKV ??? 02??圖 氧化層厚度對(duì) MOS電容高頻特性的影響 n型 P型 由精確電荷理論計(jì)算得到的 CV特性，其中 NA（ ND）=1015/cm3,T=300k 氧化層厚度增加，高頻反型電容增加，耗盡偏置區(qū)增加，因?yàn)檠趸瘜雍穸仍黾?，在氧化層的電壓降增加，要使半?dǎo)體的 ?s=2?F,需要更大的VT 隨溫度升高，高頻反型電容略有增加，耗盡偏置電容基本不隨溫度變化， VT也基本不隨溫度變化。 由精確電荷理論計(jì)算得到的CV特性， ND=1014/cm3, x0=?m 01 xK WKCSTOO?C= 原因 3實(shí)際測(cè)量結(jié)果 標(biāo)準(zhǔn)而且?guī)缀跏峭ㄓ玫臏y(cè)量頻率為 1MHz。 一般測(cè)試得到的都是高頻特性，即使測(cè)量頻率為 100Hz,甚至是 10Hz，也會(huì)得到高頻特性。 要得到 MOS電容的低頻特性，必須采用“準(zhǔn)靜態(tài)技術(shù)”。 不同掃描速率（ R）下測(cè)量得到的 CV特性，在反型時(shí)，停止掃描使得器件平衡；或者緩慢地將器件從反型反掃到積累來準(zhǔn)確記錄高頻反型電容。 深耗盡 ? MOS處于積累和耗盡偏置時(shí)，是多子在工作，響應(yīng)速度快。 ? MOS處于反型偏置時(shí)，需大量少子來平衡柵電荷的變化。在柵電壓進(jìn)入反型偏置之前， MOS結(jié)構(gòu)中沒有少子，少子必須在半導(dǎo)體表面附近產(chǎn)生，這種產(chǎn)生過程是相當(dāng)慢的，而且產(chǎn)生的少子不夠平衡柵電荷，此時(shí)耗盡區(qū)寬度變得比 WT大，來補(bǔ)償缺少的少數(shù)載流子。 深耗盡： MOS處于反型偏置時(shí)，非平衡的半導(dǎo)體表面缺少少數(shù)載流子，耗盡區(qū)寬度大于平衡值 WT，這種情況稱為深耗盡。 完全深耗盡： MOS處于反型偏置時(shí)，非平衡的半導(dǎo)體表面完全 缺乏少數(shù)載流子的一種極端深耗盡情況，即完全深耗盡。 （ a）深耗盡 （ b）完全深耗盡 作業(yè) (a) (b) (c) 半導(dǎo)體處于平衡態(tài)，因費(fèi)米能級(jí)處于一條直線 （ d) (e) n=ni 因?yàn)樵诮缑嫣?EF=Ei （ h) (j) 耗盡狀態(tài) 01)(xKWKCCCCCd e pCSOOoSso????11000???xKWKCCs作業(yè) 講作業(yè) 作業(yè) 作業(yè) ? 課堂講解 1612, ? 本章作業(yè) 161， 4， 8， 9, 13, 15
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