mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)-資料下載頁(yè)
2025-05-10 19:00本頁(yè)面
【正文】 電壓關(guān)系（定量） 電流 電壓關(guān)系的應(yīng)用（ 1） —— 確定閾值電壓和遷移率 DSTGSoxnD VVVLCWI )( ?? ?（ 1）低漏源電壓近似： （ VDS?0） )(2)( TGSoxnD VVLCWs atI ?? ?（ 2）飽和電流 電壓關(guān)系： （ VDS= VDS(sat) ） DIGSVDIGSVTVLCW oxn??斜率ATVABTVBLCW oxn??斜率電流 電壓關(guān)系（定量） 電流 電壓關(guān)系的應(yīng)用（ 2） —— MOSFET的跨導(dǎo) ])(2[2 2DSDSTGSoxnD VVVVLCWI ??? ?GSDm VIg???MOSFET跨導(dǎo)的定義 : 非飽和區(qū)跨導(dǎo) : DSoxnm VLCWg ??飽和區(qū)跨導(dǎo) : )( TGSoxnms VVL CWg ?? ?TGSDS VVs a tV ??)(線性很好！ 電流 電壓關(guān)系（定量） 襯底偏置效應(yīng) p G D S DSV GSV?n ?nSBVcEFiEFEvEfpe?fps ee ?? 2?cEFiEFEvEfpe?FnE)2( SBfps Vee ?? ??DIGSV0?SBVV1 V3 V9 小信號(hào)等效電路 D?n?nSGsr drgspC gsC gdC gdpCgsmVg 39。pgsmVg 39。dsr dsCdrSsr??gsV39。gsTCgdTCG??gsVDgsmVgdsrS??gsVgsTCGD小信號(hào)等效電路 gsmVgLRS??gsVgsTCG DgdTC??dViI dI)( dgsg d Tgsg s Ti VVCjVCjI ??? ?? 0)( ????gsdgdTgsmLd VVCjVgRV ?柵極： 漏極： gsgdTLLmgdTg s Ti VCRjRgCCjI?????????????????????? 11???????????gdTLLmgdTM CRjRgCC?11gsmVgLRS??gsVgsTCG DMC??dViI dI頻率限制因素與截止頻率 輸入電流： 截止頻率： gsMg s Ti VCCjI )( ?? ?gsmVgLRS??gsVgsTCG DMC??dViI dIgsmd VgI ?gsMgs Tmid VCCjgII)( ?? ?輸出電流： 電流增益： GmMgs TmT CgCCgf?? 2)(2 ???gsgdTLLmd VCRjRgV?????????????111電壓增益： 22)(LVVf TGSnT ?? ?? CMOS技術(shù) （ 1） CMOS電路 （ 2）器件結(jié)構(gòu) V +V 輸入 輸出 N型襯底 輸出 P阱 +V V 輸入 *問(wèn)題 ：閂鎖效應(yīng) 優(yōu)點(diǎn) ： 互補(bǔ)，一開(kāi)一關(guān)； 電流小，功耗低； 充放電回路短，速度快； 線性好，溫漂小。
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