mos場效應晶體管基礎-資料下載頁
2025-05-10 19:00本頁面
【正文】 電壓關系（定量） 電流 電壓關系的應用（ 1） —— 確定閾值電壓和遷移率 DSTGSoxnD VVVLCWI )( ?? ?（ 1）低漏源電壓近似： （ VDS?0） )(2)( TGSoxnD VVLCWs atI ?? ?（ 2）飽和電流 電壓關系： （ VDS= VDS(sat) ） DIGSVDIGSVTVLCW oxn??斜率ATVABTVBLCW oxn??斜率電流 電壓關系（定量） 電流 電壓關系的應用（ 2） —— MOSFET的跨導 ])(2[2 2DSDSTGSoxnD VVVVLCWI ??? ?GSDm VIg???MOSFET跨導的定義 : 非飽和區(qū)跨導 : DSoxnm VLCWg ??飽和區(qū)跨導 : )( TGSoxnms VVL CWg ?? ?TGSDS VVs a tV ??)(線性很好！ 電流 電壓關系（定量） 襯底偏置效應 p G D S DSV GSV?n ?nSBVcEFiEFEvEfpe?fps ee ?? 2?cEFiEFEvEfpe?FnE)2( SBfps Vee ?? ??DIGSV0?SBVV1 V3 V9 小信號等效電路 D?n?nSGsr drgspC gsC gdC gdpCgsmVg 39。pgsmVg 39。dsr dsCdrSsr??gsV39。gsTCgdTCG??gsVDgsmVgdsrS??gsVgsTCGD小信號等效電路 gsmVgLRS??gsVgsTCG DgdTC??dViI dI)( dgsg d Tgsg s Ti VVCjVCjI ??? ?? 0)( ????gsdgdTgsmLd VVCjVgRV ?柵極： 漏極： gsgdTLLmgdTg s Ti VCRjRgCCjI?????????????????????? 11???????????gdTLLmgdTM CRjRgCC?11gsmVgLRS??gsVgsTCG DMC??dViI dI頻率限制因素與截止頻率 輸入電流： 截止頻率： gsMg s Ti VCCjI )( ?? ?gsmVgLRS??gsVgsTCG DMC??dViI dIgsmd VgI ?gsMgs Tmid VCCjgII)( ?? ?輸出電流： 電流增益： GmMgs TmT CgCCgf?? 2)(2 ???gsgdTLLmd VCRjRgV?????????????111電壓增益： 22)(LVVf TGSnT ?? ?? CMOS技術 （ 1） CMOS電路 （ 2）器件結構 V +V 輸入 輸出 N型襯底 輸出 P阱 +V V 輸入 *問題 ：閂鎖效應 優(yōu)點 ： 互補，一開一關； 電流小，功耗低； 充放電回路短，速度快； 線性好，溫漂小。
醫(yī)療健康相關推薦
鄂ICP備17016276號-1