mos場效應(yīng)管講述-資料下載頁
2024-11-19 05:57本頁面
【正文】 共五十三頁。,截止區(qū),特點：,溝道全夾斷的工作區(qū),條件：,VGS VGS(off),IG≈0，ID=0,擊穿區(qū),VDS 增大到一定值時 ? 近漏極PN結(jié)雪崩擊穿,? 造成 ID劇增。,VGS 越負(fù)? 則VGD 越負(fù)? 相應(yīng)擊穿電壓V(BR)DS越小,第四十三頁，共五十三頁。,JFET轉(zhuǎn)移特性曲線,同MOS管一樣，JFET的轉(zhuǎn)移特性也可由輸出特性轉(zhuǎn)換得到(略)。,ID =0 時對應(yīng)的VGS值? 夾斷電壓VGS（off） 。,VGS=0 時對應(yīng)的ID 值? 飽和漏電流IDSS。,第四十四頁，共五十三頁。,JFET電路模型同MOS管相同。只是由于兩種管子在飽和區(qū)數(shù)學(xué)模型不同，因此，跨導(dǎo)計算公式不同。,JFET電路模型,利用,得,第四十五頁，共五十三頁。,各類FET管VDS、VGS極性比較,VDS極性與ID流向僅取決于溝道類型,VGS極性取決于工作方式及溝道類型,由于FET類型較多，單獨記憶較困難，現(xiàn)將各類FET管VDS、VGS極性及ID流向歸納如下：,N溝道FET：VDS 0，ID流入管子漏極。,P溝道FET：VDS 0，ID自管子漏極流出。,JFET管： VGS與VDS極性相反。,第四十六頁，共五十三頁。,場效應(yīng)管與三極管性能比較,第四十七頁，共五十三頁。,N溝道EMOS管GD相連?構(gòu)成有源電阻,3.3.1 有源電阻,3.3 場效應(yīng)管應(yīng)用原理,N溝道EMOS管?工作在飽和區(qū)。,伏安特性：,第四十八頁，共五十三頁。,N溝道DMOS管GS相連?構(gòu)成有源電阻,因此，當(dāng) vDS 0 –vGS(th)時，管子工作在飽和區(qū)。,伏安特性即vGS = 0 時的輸出特性。,當(dāng)vGS =0 時，電路近似恒流輸出。,第四十九頁，共五十三頁。,有源電阻?構(gòu)成分壓器,若兩管?n 、 COX 、VGS(th)相同，則,聯(lián)立求解得：,調(diào)整溝道寬長比（W/l），可得所需的分壓值。,第五十頁，共五十三頁。,人有了知識，就會具備各種分析能力， 明辨是非的能力。 所以我們要勤懇讀書，廣泛閱讀， 古人說“書中自有黃金屋。 ”通過閱讀科技書籍，我們能豐富知識， 培養(yǎng)邏輯思維能力； 通過閱讀文學(xué)作品，我們能提高文學(xué)鑒賞水平， 培養(yǎng)文學(xué)情趣； 通過閱讀報刊，我們能增長見識，擴(kuò)大自己的知識面。 有許多書籍還能培養(yǎng)我們的道德情操， 給我們巨大的精神力量， 鼓舞我們前進(jìn)。,第五十一頁，共五十三頁。,第五十二頁，共五十三頁。,內(nèi)容總結(jié),3.2 結(jié)型場效應(yīng)管。場效應(yīng)管輸入電阻遠(yuǎn)大于三極管輸入電阻。場效應(yīng)管是單極型器件（三極管是雙極型器件）。負(fù)離子?、電子?。表面層 np。此時W近似不變，即Ron不變。若忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則近似認(rèn)為l 不變（即Ron不變）。VGS –VGS(th)。VDS很小MOS管工作在非飽區(qū)時，ID與VDS之間呈線性關(guān)系：。VDS增大到一定值時?漏襯PN結(jié)雪崩擊穿? ID劇增。因VGS不變（G極正電荷量不變）?,第五十三頁，共五十三頁。
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