【正文】 RDS(on)= Tj @150 ℃ 的穩(wěn)定漏源阻抗 (ON): DrainSource OnState Resistance。導(dǎo)通狀態(tài)之漏極與源極間阻抗，RDS(ON)會(huì)隨溫度 ,漏極 電流 (ID),柵源 電 壓 (VGS)而 改變 ,作 RDS(ON)比較時(shí)在相同條件下 才 客觀。 D. 最大漏極沖擊電流 IDM Pulsed Drain Current ： 此參數(shù)為 MOSFET在脈寬為 250us的非連續(xù)沖擊下能正常工作的最大沖擊電流。通常情況下是 ID的四倍。 IDM隨本體溫度變化而變化，由轉(zhuǎn)移特性曲線和 VDSID特性曲線決定，并受以下參數(shù)影響 RDS（ 0n)、 Pd （ max）、連接線的直徑、 Die size、 Maximum junction temperature。 E. 柵源電壓 VGS： 此參數(shù)為柵極氧化層的絕緣電壓，通常定義邏輯值為 20V，標(biāo)準(zhǔn)值為 30V，在實(shí)際應(yīng)用中使用超過 VGS的電壓會(huì)造 成零件損壞，因此必須采用例如在柵源之間增加齊納二極管的保護(hù)措施，由標(biāo)準(zhǔn)值來看， 10V左右的柵極驅(qū)動(dòng)電平能使 MOSFET完全導(dǎo)通。 還需注意的是 VGS(th) : Gate Threshold Voltage ,柵極與 源 極導(dǎo)通時(shí)門檻電壓 . 就拿電路中應(yīng)用在開關(guān)回路的 Q901上，必須保證閾值電壓，避免 MOSFET多次振蕩，引起輸出電壓不穩(wěn)定。 F. 信號(hào)脈沖雪崩能量 Eas（ mJ） 與雙極型三極管不同， MOSFET有極高的開關(guān)速度，采用 MOSFET能減少開關(guān)損耗，從而提高系統(tǒng)效率，柵極驅(qū)動(dòng)能達(dá)到更高的開關(guān)速度。在 MOSFET關(guān)斷時(shí)，閉合電壓 VDS的斜率急速上升。當(dāng) MOSFET工作在感性負(fù)載的情 況下，無限流作用。 VDS的斜率上升到擊穿電平并且能量從電感瀉放到 MOSFET的附加二極管，這種導(dǎo)致 MOSFET失效的能量叫做 Eas(mJ)信號(hào)脈沖雪崩能量，雪崩電流的值隨脈沖寬度的變化而變化，由器件的熱阻及最大結(jié)溫限制 H . IAR(A) / EAR (mJ) : Avalanche current / Repetitive Avalanche Energy 雪崩電流 /反復(fù)雪崩能量，此參數(shù)同樣是 MOSFET用于感性負(fù)載。 IAR等于 ID,EAR為計(jì)算值，定義為 25 ℃ 條件下 的功耗乘以 100us(導(dǎo)通時(shí)間 ) I. dv/dt (V/ns) POWER MOSFET 關(guān)斷的瞬間， VDS斜率的急速增大很有可能造成器件 的損壞。因此定義 dv/dt如同保持電容的參數(shù)來描述關(guān)斷時(shí)電壓斜率的 急速上升對元器件的影響，實(shí)際應(yīng)用中有兩個(gè)類型的 dv/ 瞬間的 dv/dv,另一種是在類似半橋，全橋拓?fù)錁?gòu)架中二極管的恢復(fù) db/dt. 參考圖三和圖四，以及所附波形圖更利于理解 dv/dt。 dv/dt: 這是在開啟到關(guān)斷瞬間 VDS電壓的斜率， VDS的增加導(dǎo)致電流流向 Cgd和 RG。柵源之間電流的變化引起的電壓變化由等式 2表示。 可以看到 I1由 CGD*(dv/dt)表示，如果 RG I1大于 VGS（ th）那么 MOSFET將不正確的開啟，這樣 MOSFET就有可能永久性損壞。 另一種 Turnoff dv/dt 發(fā)生在 MOSFET內(nèi)部的雙極型三極管的等效結(jié)構(gòu)被 I2導(dǎo)通時(shí)，如圖三、圖四所示，當(dāng) MOSFET turnoff 漏源之間作用于寄生二極管的反向偏壓導(dǎo)致 PN結(jié)耗散，此耗散電容稱為 CDS，寄生元件用 CDS、 RB、 BJT的結(jié)構(gòu)表示。如果 VDS的增加形成的 I2由 CDS流向 RB，則等效表達(dá)式如公式 3 在公式 3中如果 VBE接近于 。發(fā)射結(jié)正偏，雙極型三極管將導(dǎo)通。在高 dv/dt和大 RB的情況下， MOSFET將隨著 BJT的 BVCBO參數(shù)進(jìn)入雪崩模式，直至損壞。 K. 二極管恢復(fù) dv/dt 此參數(shù)定義為 VDS的過高斜率導(dǎo)致寄生二極管反向恢復(fù)失效的 dv/dt 這種失效模式通常在全橋或半橋開關(guān)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載的情況下發(fā)生，描述 如下，在圖五所示的半橋回路，下邊的 MOSFET導(dǎo)通時(shí)電流流過，而當(dāng) 下邊的 MOSFET截止時(shí)，電流從上邊的 MOSFET的寄生二極管流過。 如果在恢復(fù)時(shí)間內(nèi)， VDS的 dv/dt超過 rating值， I2增加，這樣寄生 BJT 開啟，最后器件損壞。同時(shí)，反向恢復(fù)電流與 VDS產(chǎn)生的功耗也會(huì) 引起器件損壞。 因此， MOSFET有越短的反向恢復(fù)時(shí)間，就有越好的 dv/dt強(qiáng)度。為了使 dv/dt降低，可采用緩沖偏置電感來避免器件損壞。 (W):power dissipation 這是器件在 Tc＝ 25 ℃ 時(shí)保證正常工作的最大功耗，由封裝形式或 die size決定（熱阻主要由 Rthjc決定） Tj(max):器件正常工作的最大結(jié)溫，一般為 150 ℃ 或 175 ℃ 。 Rthjc:PN結(jié)到本體的熱阻。 M. Thermal resistance(熱阻 ) MOSEFT 必須工作在限定的熱量范圍，結(jié)溫不能超過 Spec規(guī)定的 150 ℃ 或 175 ℃ 。此參數(shù)影響到 POWER MOSFET的散熱狀況，決定了 MOSFET的最大功耗以及 ID。 Thermal resistance由封裝形式，結(jié)構(gòu)， die size， RDS(on)決定。 Thermal resistance(熱阻 )值越低，散熱性能越好 Rthjc : Thermal resistance from junction to case，這是理想狀態(tài)下的熱阻，假設(shè)本體溫度為 25 ℃ ，采用無限大的散熱片。此值不是從實(shí)際操作中得出的。當(dāng)器件工作在 25 ℃ 的時(shí)候，結(jié)溫由以下公式得出 Rthca : Thermal resistance from case to air ( ambient )此參數(shù)提供一個(gè)在實(shí)際散熱片條件下計(jì)算 case溫度的方式 為了計(jì)算 case 溫度，必須提供功耗，以及 MOSFET到散熱片的熱阻、散熱片到環(huán)境的熱阻。如以下公式得出： 因此，當(dāng)使用散熱片時(shí)，必須設(shè)計(jì)在 Rthcs的下限。 Capacitance of MOSFET Cgs Cds Vds Ciss = Cgd + Cgs Coss = Cgd + Cds Crss = Cgd Ciss : Input Capacitance 。 輸入電容 . Coss : Output Capacitance 。輸出電容 . Crss : Reverse Transfer Capacitance 。反向轉(zhuǎn)換時(shí)電容 . Vgs N. VSD : DrainSource Diode Forward Voltage。 MOSFET Body Diode 的 順向電壓降 . t rr : Diode Reverse Recovery Time。 MOSFET Body Diode 的 逆向恢復(fù)時(shí)間 . Q rr : Diode Reverse Recovery Charge。 MOSFET Body Diode 的 逆向恢復(fù)充電電荷量 . 儲(chǔ)存溫度 (Storage Temperature ) ,即元件 儲(chǔ)存時(shí)能承受之最高溫度 . Tstg: Is : Maximum Continuous DrainSource Forward Current 。 MOSFET Body Diode 的 連續(xù)最大的承受電流 . IsM : Maximum Continuous DrainSource Forward Rush Current 。MOSFET Body Diode 的 承受的最大沖擊電流 . GATE VOLTAGE VDS VOLTAGE t r t f t d(on) t d(off) Qg : Total Gate Charge 。 總充電電荷量 . Qgs : GateSource Charge 。 柵極與源極間之充電電荷 量 . Qgd : GateDrain Charge 。柵極與漏極間之充電電荷量 . t d(on) : TurnOn Delay Time 。導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間 . t d(off) : TurnOff Delay Time 。截止延遲時(shí)間 . t r : Rise Time 。 上升時(shí)間 . t f : Fall Time 。 下降時(shí)間 . Derating 測試指導(dǎo)書 廠內(nèi) derating參數(shù)整理 SOA 測試數(shù)據(jù)波形 謝 謝