極管和晶體管ppt課件(2)-資料下載頁
2025-05-01 00:06本頁面
【正文】 BE ? 0 ? (c)飽和 + UBE 0 ? IB + UCE ? 0 ? ? UBC 0 + CCCC RUI ? 當(dāng)晶體管飽和時(shí) ， UCE ? 0， 發(fā)射極與集電極之間如同一個(gè)開關(guān)的接通 ， 其間電阻很小；當(dāng)晶體管截止時(shí) ， IC ? 0 ， 發(fā)射極與集電極之間如同一個(gè)開關(guān)的斷開 ， 其間電阻很大 ， 可見 ， 晶體管除了有放大作用外 ， 還有開關(guān)作用 。 ?0 ? ~ ? ~ ? ? ? 硅管 (NPN) 鍺管 (PNP) 可靠截止 開始截止 UBE/V UBE/V UCE/V UBE/V 截 止 放大 飽和 工 作 狀 態(tài) 管 型 晶體管結(jié)電壓的典型值 主要參數(shù) 表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)也是設(shè)計(jì)電路、選用晶體管的依據(jù)。 主要參數(shù) 1. 電流放大系數(shù) ? ?直流電流放大系數(shù) BCII_ _ _ ??BCIIΔΔ??交流電流放大系數(shù) 當(dāng)晶體管接成發(fā)射極電路時(shí)， 注意： 和 ? 的含義不同，但在特性曲線近于平行等距并且 ICE0 較小的情況下，兩者數(shù)值接近。 ? 常用晶體管的 ? 值在 20 ~ 200之間。 由于晶體管的輸出特性曲線是非線性的，只有 在特性曲線的近于水平部分， IC隨 IB成正比變化， ? 值才可認(rèn)為是基本恒定的。 例：在 UCE= 6 V時(shí)， 在 Q1 點(diǎn) IB=40?A, IC=； 在 Q2 點(diǎn) IB=60 ?A, IC=。 537040 51BC .. .II ????40040060 5132BC ?????....IIΔΔ?在以后的計(jì)算中，一般作近似處理： ? = 。 ?IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC / mA 1 2 3 4 UCE /V 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 點(diǎn)，有 由 Q1 和 Q2點(diǎn)，得 基極反向截止電流 ICBO ICBO是由少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)所形成的電流，受溫度的影響大。 溫度 ??ICBO? ICBO ?A + – EC 射極反向截止電流 (穿透電流 )ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受溫度的影響大。 溫度 ??ICEO?， 所以 IC也相應(yīng)增加。 三極管的溫度特性較差。 ICM 射極反向擊穿電壓 U(BR)CEO 集電極電流 IC上升會(huì)導(dǎo)致三極管的 ?值的下降，當(dāng) ?值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為 ICM。 當(dāng)集 —射極之間的電壓 UCE 超過一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。手冊(cè)上給出的數(shù)值是 25?C、基極開路時(shí)的擊穿電壓 U(BR) CEO。 PCM PCM取決于三極管允許的溫升，消耗功率過大，溫升過高會(huì)燒壞三極管。 PC ? PCM =IC UCE 硅 管允許結(jié)溫約為 150?C， 鍺 管約為 70?90?C。 ICM U(BR)CEO 由三個(gè)極限參數(shù)可畫出三極管的安全工作區(qū) IC UCE O ICUCE = PCM 安全工作區(qū) 晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系 1. 溫度每增加 10?C， ICBO增大一倍。硅管優(yōu)于 鍺管。 1?C， UBE將減小 –(2~)mV， 即晶體管具有負(fù)溫度系數(shù)。 3. 溫度每升高 1?C， ? 增加 %~%。 14. 6 光電器件 符號(hào) 發(fā)光二極管 (LED) 當(dāng)發(fā)光二極管加上正向電壓并有足夠大的正向電流時(shí)，就能發(fā)出一定波長(zhǎng)范圍的光。 目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。 常用的有 2EF等系列。 發(fā)光二極管的 工作電壓為 ~ 3V，工作電流為幾 ~十幾 mA。 光電二極管 光電二極管在反向電壓作用下工作。 當(dāng) 無光照 時(shí) , 和普通二極管一樣 , 其 反向電流很小 , 稱為暗電流。 當(dāng) 有光照 時(shí) , 產(chǎn)生的反向電流稱為光電流。照度 E越 強(qiáng)，光電流也越大。 常用的光電二極管有 2AU, 2CU等系列。 光電流很小 , 一般只有幾十微安 , 應(yīng)用時(shí)必須放大。 I/?A U/ V E=0 E1 E2 (a) 伏安特性 (b) 符號(hào) E2 E1 光電晶體管 光電晶體管用入射光照度 E的強(qiáng)弱來控制集電極 電流。 當(dāng)無光照時(shí) , 集電極電流 ICEO很小 , 稱為暗 電流。當(dāng)有光照時(shí) , 集電極電流稱為光電流。一般 約為零點(diǎn)幾毫安到幾毫安。 常用的光電晶體管有 3AU, 3DU等系列。 (b) 輸出特性曲線 (a) 符號(hào) E=0 E1 E3 E4 iC uCE O E2 ICEO PCM C E
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