極管和晶體管ppt課件(2)(編輯修改稿)
2025-05-28 00:06 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 i 8V，二極管截止，可看作開路 uo = ui 已知： 二極管是理想的，試畫出 uo 波形。 V s i n18i tu ??8V 例 3： 二極管的用途： 整流、檢波、 限幅、鉗位、開 關(guān)、元件保護(hù)、 溫度補償?shù)取? ui t ?18V 參考點 二極管陰極電位為 8 V D 8V R uo ui + + – – 穩(wěn)壓二極管 1. 符號 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 穩(wěn)壓管正常工作時加反向電壓 ,工作于反向擊穿區(qū) 使用時要加限流電阻 反向電壓增高到擊穿電壓時，穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。 _ + U I O 3. 主要參數(shù) (1) 穩(wěn)定電壓 UZ 穩(wěn)壓管正常工作 (反向擊穿 )時管子兩端的電壓。 (2) 電壓溫度系數(shù) ?ｕ 環(huán)境溫度每變化 1?C引起 穩(wěn)壓值變化的 百分?jǐn)?shù) 。 (3) 動態(tài)電阻 ZZ Z IUr???(4) 穩(wěn)定電流 IZ 、最大穩(wěn)定電流 IZM (5) 最大允許耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。 雙極型晶體管 基本結(jié)構(gòu) 晶體管的結(jié)構(gòu) (a)平面型； (b)合金型 B E P型硅 N型硅 二氧化碳保護(hù)膜 銦球 N型鍺 N型硅 C B E C P P 銦球 (a) (b) 雙極型晶體管 晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖和表示符號 (a)NPN型晶體管； (a) N N C E B P C E T B IB IE IC (b) B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶體管 C E 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 集電結(jié) 發(fā)射結(jié) N N P 基極 發(fā)射極 集電極 B C E 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) P 發(fā)射結(jié) P 集電結(jié) N 集電極 發(fā)射極 基極 B 基區(qū)：最薄， 摻雜濃度最低 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度最高 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 結(jié)構(gòu)特點： 集電區(qū)： 面積最大 14. 5. 2 電流分配和放大原理 1. 三極管放大的外部條件 B E C N N P 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏 PNP 發(fā)射結(jié)正偏 VBVE 集電結(jié)反偏 VCVB 從電位的角度看： NPN 發(fā)射結(jié)正偏 VBVE 集電結(jié)反偏 VCVB EB RB EC RC 晶體管電流放大的實驗電路 設(shè) EC = 6 V， 改變可變電阻 RB, 則基極電流 IB、集電極電流 IC 和發(fā)射極電流 IE 都發(fā)生變化 ， 測量結(jié)果如下表： 2. 各電極電流關(guān)系及電流放大作用 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 晶體管電流測量數(shù)據(jù) IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 結(jié)論 : (1) IE = IB + IC 符合基爾霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大 變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。 實質(zhì) : 用一個微小電流的變化去控制一個較大電流 的變化，是 CCCS器件 。 + UBE ? IC IE IB C T E B ? ? ? ? + UCE ? (a) NPN 型晶體管； + UBE ? IB IE IC C T E B ? ? ? ? + UCE ? 電流方向和發(fā)射結(jié)與集電結(jié)的極性 (4) 要使晶體管起放大作用，發(fā)射結(jié)必須正向 偏置，集電結(jié)必須反向偏置。 (b) PNP 型晶體管 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流 IE。 進(jìn)入 P 區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流 IBE ，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。 從基區(qū)擴(kuò)散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成 ICE。 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。 3. 三極管內(nèi)部載流子的運動規(guī)律
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