功率場效應(yīng)晶體管44絕緣柵雙極型晶體管igbt44其他器(編輯修改稿)
2025-06-04 00:18 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 PM2導(dǎo)通時(shí) ， 負(fù)載得電 ，輸出電流 Io＞ 0。 當(dāng) PM2關(guān)斷時(shí) ， VD4續(xù)流 ， 直到 Io＝ 0， VD4斷開 ， 接著 PM3導(dǎo)通 。 11 PMOSFET在電力變流技術(shù)中主要有以下應(yīng)用： (1) 在開關(guān)穩(wěn)壓調(diào)壓電源方面 ， 可使用 PMOSFET器件作為主開關(guān)功率器件可大幅度提高工作頻率 ， 工作頻率一般在 200～ 400 kHz。 頻率提高可使開關(guān)電源的體積減小 ， 重量減輕 ，成本降低 ， 效率提高 。 目前 ， PMOSFET器件已在數(shù)十千瓦的開關(guān)電源中使用 ， 正逐步取代 GTR。 3. PMOSFET的應(yīng)用 12 (2) 將 PMOSFET作為功率變換器件 。 由于 PMOSFET器件可直接用集成電路的邏輯信號驅(qū)動(dòng) ， 而且開關(guān)速度快 ， 工作頻率高 ， 大大改善了變換器的功能 ， 因而在計(jì)算機(jī)接口電路中應(yīng)用較多 。 (3) 將 PMOSFET作為高頻的主功率振蕩 、 放大器件 ， 在高頻加熱 、 超聲波等設(shè)備中使用 ， 具有高效 、高頻 、 簡單可靠等優(yōu)點(diǎn) 。 13 絕緣柵雙極型晶體管 1. IGBT的工作原理 IGBT的結(jié)構(gòu)是在 PMOSFET結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上作了相應(yīng)的改善 ， 相當(dāng)于一個(gè)由 PMOSFTET 驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū) GTR ， 其簡化等效電路和電氣符號如圖 。 GRBCP N PJ1N P NJ2J3ERBEGECV1圖 423 IGBT的簡化等效電路 圖 424 IGBT的圖形符號 14 GRBCP N PJ1N P NJ2J3ERBE IGBT有三個(gè)電極 ， 分別是集電極 C、 發(fā)射極 E和柵極G。 在應(yīng)用電路中 ， IGBT的 C接電源正極 ， E接電源負(fù)極 。它的導(dǎo)通和關(guān)斷由柵極電壓來控制 。 柵極施以正向電壓時(shí) ， IGBT導(dǎo)通 。 導(dǎo)通后的 IGBT具有較低的通態(tài)壓降 。 在柵極上施以負(fù)電壓時(shí) ，IGBT關(guān)斷 。 IGBT的導(dǎo)通原理與 PM相同 。 15 2. IGBT的特性 IGBT的伏安特性 （ 又稱靜態(tài)輸出特性 ） 反映了在一定的柵 —射極電壓 UGE下 ， 器件的輸出端電壓 UCE與電流 IC的關(guān)系 。 UGE越高 ， IC越大 。 與普通晶體管的伏安特性一樣 ， IGBT的伏安特性分為截止區(qū) 、 有源放大區(qū) 、 飽和區(qū)和擊穿區(qū) 。 0ICUGE增加UBMUC E OUCE( a ) ( b )IC0 UG E ( T H )UGE16 需要注意的是 ， IGBT的反向電壓承受能力很差 ，從曲線可知 ， 其反向阻斷電壓 UBM只有幾十伏 ， 因此限制了它在需要承受高反壓場合的應(yīng)用 。 0ICUGE增加UBMUC E OUCE( a ) ( b )IC0 UG
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