雙極晶體管ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-31 22:02 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 流電流增益 （ 3）共基極電流增益 2011 bebnbebW WLW??????? ? ?????（ 4）共射極電流增益 1201bebnbebW WLW???????????????????1201ebb nbRWRL??????????? ??????□□發(fā)射效率與均勻基區(qū)形式相同 43 晶體管的直流電流增益 提高放大系數(shù)的途徑 減小基區(qū)寬度 （基區(qū)少子濃度梯度大，且復(fù)合損失?。? 提高發(fā)射區(qū)的雜質(zhì)濃度與基區(qū)雜質(zhì)濃度比NE/NB↑ （ NE有上限， NB也不能太低） 提高基區(qū)電場(chǎng)因子 提高基區(qū)“少子”壽命 44 ? 1. 發(fā)射結(jié)勢(shì)壘復(fù)合對(duì)電流放大系數(shù)的影響 11ne nepe ree ne pe rene neIII II I I III? ? ? ?????45 2. 發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)對(duì)電流放大系數(shù)的影響 發(fā)射區(qū)過(guò)重的摻雜不僅不能提高發(fā)射效率，反而使發(fā)射效率降低 1）形成雜質(zhì)帶尾，禁帶變窄 39。ggg EEE ???3316EgsSNqEkT? ? ???發(fā)射區(qū)有效雜質(zhì)濃度降低為 : ? ? ? ? ? ? ? ?22 e xpie ff E E gienN x N x N x E k Tn? ? ? ?? ? ??????? D e f fDiig NNnnE 2發(fā)射區(qū)有效雜質(zhì)濃度降低，導(dǎo)致發(fā)射效率下降。 46 2）俄歇復(fù)合 1 1 1p T A? ? ???發(fā)射區(qū)少子空穴壽命 隨著俄歇復(fù)合壽命 ↓而 ↓。 俄歇復(fù)合 通過(guò)復(fù)合中心復(fù)合 p? A?? ?SiNnCnA ?? 201?少子空穴壽命縮短使注入到發(fā)射區(qū)的空穴增加，發(fā)射效率 ↓。 47 Ec Ev e e e h +h +Eg a ph νI m p a c ti o n i z a t i o nO n e p h o t o ny i e l d s t w oe h + p a i r sQ u a n t u m D o t多激子產(chǎn)生效應(yīng) 俄歇復(fù)合及禁帶變窄效應(yīng)的影響與發(fā)射結(jié)結(jié)深有關(guān)。 48 *0 1n e r b s b r b s bn e n e n eI I I I II I I???? ? ? ?表面復(fù)合對(duì)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的影響可表示為 *0 21 2b S bn b e n bW S A WL A D? ? ? ?? ?*0 21 0Bb S bn b e n b BW S A W NL A D N? ?? ? ?對(duì)均勻基區(qū) 對(duì)緩變基區(qū) S為表面復(fù)合速率 體復(fù)合 表面復(fù)合 49 共射極輸出特性曲線上 VBC ＝ 0 點(diǎn)的切線與 VCE 軸負(fù)方向交于一點(diǎn)，該點(diǎn)電壓稱為 Early電壓， IC VCE － VEA IB增大 39。00 1CEEAVV??????????基區(qū)有效寬度隨集電結(jié)偏壓而變化的現(xiàn)象稱為基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（厄爾利效應(yīng)） 4. 基區(qū)寬變效應(yīng) 有寬變效應(yīng)的電流放大系數(shù)： 隨外加電壓變化，電流放大系數(shù)會(huì)隨之變化，降低放大性能的線性度，致使信號(hào)失真。 50 晶體管的特性參數(shù) 晶體管的放大系數(shù) 共基極直流放大系數(shù)和交流放大系數(shù) ?0 、 ? ecII?0?000 1 ??????? cecIII兩者的關(guān)系 ecii??????? 1共發(fā)射極直流放大系數(shù)交流放大系數(shù) ?0、 ? bcII?0?bcii??51 晶體管的反向 電流 一、定義 晶體管某二個(gè)電極間加反向電壓，另一電極開(kāi)路時(shí)流過(guò)管中的電流稱其 反向電流 。 IEBO：集電極極開(kāi)路，發(fā)射極與基極間反偏，流過(guò)發(fā)射結(jié)的電流。 ICBO：發(fā)射極開(kāi)路，集電極和基極間反偏，流過(guò)集電結(jié)的電流。 ICEO：基極開(kāi)路，發(fā)射極和集電極間反偏，流過(guò)發(fā)射極和集電極的電流 。 I V Iebo I V Icbo I V Iceo 52 二、反向電流的來(lái)源 實(shí)際的晶體管反向電流應(yīng)包括反向擴(kuò)散電流，勢(shì)壘產(chǎn)生電流和表面漏電流。 ? 對(duì) Ge管：主要是反向擴(kuò)散電流 ? 對(duì) Si管：主要是 勢(shì)壘產(chǎn)生電流 ，表面電流視工藝而定 0C E C B OI I I???0BI ? C E C E OI I I??0 0 0 0C E C E C BI I I???0 0 0(1 )C E C BII???0 0 0 001 ( 1 )1C E C B C BI I I??? ? ??共射極接法，信號(hào)放大的同時(shí)， 相應(yīng)的漏電流也增大了 倍 ( 1)??53 晶體管的擊穿電壓 BVebo BVcbo Bvceo 定義：某一極開(kāi)路，另二極所能承受的最大反向電壓 基區(qū)穿通電壓 VPT ? ：集電極開(kāi)路時(shí) eb間反向擊穿電壓 ? ：發(fā)射極開(kāi)路時(shí) cb間反向擊穿電壓 ? ：基極開(kāi)路時(shí) ec間所能承受的最高反向電壓 20022B b BP T bBq N W VVWqN??????54 基極電阻 ? 基極電流為橫向電流，基區(qū)摻雜濃度低，且很薄，這個(gè)電阻不可忽略。 ? 基極電阻 rb： 擴(kuò)展電阻，包括基區(qū)體電阻和基極電極引出線處接觸電阻。 降低 rb的措施是： 1. 減小發(fā)射區(qū)條寬、基極電極條寬，以及減小它們之間的距離與增加條長(zhǎng)，但這會(huì)受到工藝條件的限制。 2. 增加發(fā)射極條數(shù) n，但會(huì)受到面積的限制。 3. 降低基區(qū)方塊電阻，即提高基區(qū)擴(kuò)散層的雜質(zhì)濃度；但會(huì)降低發(fā)射效率，影響 ?0、 ?0，也會(huì)降低擊穿電壓。 55 56 晶體管的頻率特性 參數(shù) ?截止頻率 f?： 共基極電流放 大系數(shù)減小到低頻值的 所對(duì)應(yīng)的頻率值 ?截止頻率 f ? ： 21特征頻率 fT： 共發(fā)射極電流放大系數(shù)為 1時(shí)對(duì)應(yīng)的工作頻率 最高振蕩頻率 fM： 功率增益為 1時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率 2 0 l g ( d B )??? 2 0 l g ( d B )???6分貝倍頻程段 （ β 增減一倍，放大系數(shù)變化 6dB） 6分貝倍頻程段 ＝常數(shù)，這個(gè)
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1