極管和晶體管ppt課件(2)-wenkub.com
2025-04-28 00:06 本頁面
【正文】 一般 約為零點幾毫安到幾毫安。 光電流很小 , 一般只有幾十微安 , 應用時必須放大。 當 無光照 時 , 和普通二極管一樣 , 其 反向電流很小 , 稱為暗電流。 目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。硅管優(yōu)于 鍺管。手冊上給出的數(shù)值是 25?C、基極開路時的擊穿電壓 U(BR) CEO。 溫度 ??ICEO?， 所以 IC也相應增加。 例：在 UCE= 6 V時， 在 Q1 點 IB=40?A, IC=； 在 Q2 點 IB=60 ?A, IC=。 ?0 ? ~ ? ~ ? ? ? 硅管 (NPN) 鍺管 (PNP) 可靠截止 開始截止 UBE/V UBE/V UCE/V UBE/V 截 止 放大 飽和 工 作 狀 態(tài) 管 型 晶體管結電壓的典型值 主要參數(shù) 表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)也是設計電路、選用晶體管的依據(jù)。 深度飽和時， 硅管 UCES ? ， 鍺管 UCES ? 。A 60 181。 IB = 0 的曲線以下的區(qū)域稱為截止區(qū)。A 40 181。 對 NPN 型管 而言 , 應使 UBE 0, UBC 0，此時， UCE UBE。A 40 181。A O 3 6 9 12 4 3 2 1 IB =0 3DG100晶體管的輸出特性曲線 在不同的 IB下，可得出不同的曲線，所以晶體管 的 輸出特性曲線 是一組曲線。A 80181。 集電結反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。 (b) PNP 型晶體管 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略。 (3) 動態(tài)電阻 ZZ Z IUr???(4) 穩(wěn)定電流 IZ 、最大穩(wěn)定電流 IZM (5) 最大允許耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。 V s i n18i tu ??8V 例 3： 二極管的用途： 整流、檢波、 限幅、鉗位、開 關、元件保護、 溫度補償?shù)取? D 6V 12V 3k? B A UAB + – 兩個二極管的陰極接在一起 取 B 點作參考點，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。 ，溫度愈高反向電流愈大。硅管的反向電流較小 ，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。 2. 反向工作峰值電壓 URWM 是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓 UBR的一半或三分之二。 陰極引線 陽極引線 二氧化硅保護層 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 金屬觸絲 陽極引線 N 型鍺片 陰極引線 外殼 ( a ) 點接觸型 鋁合金小球 N 型硅 陽極引線 PN 結 金銻合金 底座 陰極引線 ( b ) 面接觸型 圖 1 – 12 半導體二極管的結構和符號 二極管 二極管的結構示意圖 陰極 陽極 ( d ) 符號 D 伏安特性 硅管 鍺管 反向擊穿 電壓 U(BR) 導通壓降 外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導通。用于檢波和變頻等高頻電路。 內電場 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – 2. PN 結加反向電壓 （反向偏置） 外電場 P接負、 N接正 內電場 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － – + PN 結變寬 2. PN 結加反向電壓 （反向偏置） 外電場 內電場被加強，少子的漂移加強，由于少子數(shù)量很少，形成很小的反向電流。 擴散的結果使空間電荷區(qū)變寬。 N型半導體和 P 型半導體 摻雜后空穴數(shù)目大量增加，空穴導電成為這種半導體的主要導電方式，稱為空穴半導體或 P型半導體。在一定溫度下，載流子的產生和復合達到動態(tài)平衡，半導體中載流子便維持一定的數(shù)目。 本征半導體的導電機理 當半導體兩端加上外電壓時，在半導體中將出現(xiàn)兩部分電流 (1)自由電子作定向運動 ?電子電流 (2)價
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