ch02mos器件物理基礎-資料下載頁
2025-01-06 14:16本頁面
【正文】 型 51 作業(yè)： , 52 實驗 熟悉 HSPICE環(huán)境及 MOS晶體管特性 在 Windows下 Tanner環(huán)境下 SPICE的使用 任務： 1)完成 NMOS和 PMOS晶體管 IV特性的仿真 ,包括 A W,L不變 ， 在不同的 Vgs下 ， Ids與 Vds關系 B W,L不變 ， 在不同的 Vds下 ， Ids與 Vgs關系 C Vgs不變 ， 在不同的 W/L下 ， Ids與 Vds關系 2) 習題 3) 襯底調(diào)制效應的仿真：習題 時間 4小時 實驗報告要求畫出各個曲線，上交電子版。 53 例：求下列電路的低頻小信號輸出電阻 (γ＝ 0) X X m g s 0 X m X 0V = ( I g V ) r = ( I g V ) rm 0 X X 0( 1 + g r ) V = I r1?0XinX m 0 mrVR = =I ( 1 + g r ) g54 例：求下列電路的低頻小信號輸出電阻 (γ＝ 0) ?X X m g s 0 X DX m D X m X 0 X DV = ( I g V ) r + I R( I + g R I g V ) r + I Rm 0 X 0 D m D 0 X( 1 + g r ) V = ( r + R + g R r ) Ig s X X DV = V I R1? ? ?0 D m D 0XinX m 0D0m m 0r + R + g R rVR = =I 1 + g rRrg g r55 例：求下列電路的低頻小信號輸出電阻 (γ＝ 0) g s XV = V?X X m g s 0 X D X m X 0 X DV = ( I + g V ) r + I R ( I g V ) r + I R1??0DXDinX m 0 m m 0r + RVRR = =I 1 + g r g g r56 小信號電阻總結(jié) （ γ＝ 0） 1/?i n mRg1 / /??i n m D m 0R g R g r1 / /? ? ?i n m 0 D m 0R g r R g r對于圖（ A）： 對于圖（ B）： 對于圖（ C）： 57 例： 若 W/L＝ 50/， |ID|＝ 500uA， 分別求 : NMOS、PMOS的跨導及輸出阻抗以及本征增益 gmr0 （ tox=9e9 λn=, λp= , μ n= 350cm2/V/s, μ p= 100cm2/V/s ） tox=50 197。, Cox?(1 197。=1010 m, 1fF= 1015 F) ∴ tox=90 197。, Cox?*50/90=? ? ? ? ? ? ? ? 4 1 5 1 2 4mNg = 2 3 5 0 1 0 3 . 8 3 1 0 / 1 0 1 0 0 5 1 0 3 . 6 m A / V72? ? ? ? 3 3m N 0 Ng r = 3 . 6 1 0 2 0 1 0同理可求得 PMOS的參數(shù)如下： gmP ?， r0P ?10KΩ ， gmP r0P ? ?? 40Nr = 1 / ( 0 . 1 5 1 0 ) = 2 0 K Ω 58 本章基本要求 1. 掌握 MOSFET電流公式及跨導公式。 2. 掌握 MOSFET小信號等效電路。 3. 掌握 MOSFET的二階效應、用作恒流源的結(jié)構(gòu)特點及其飽和的判斷條件。 4. 掌握 MOS管的開關特性。 59 60
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