mos二極管ppt課件(2)-資料下載頁
2025-05-05 18:16本頁面
【正文】 Si的親和勢為，襯底摻雜濃度為 Nd（功函數(shù)為S），柵氧化層厚度為 tox。在制備 nMOS電容時氧化層中形成密度為 Qf的正的固定電荷。 1. 假設該正的固定電荷形成在氧化層與 Si界面處，寫出其平帶電壓表達式，示意畫出其平衡能帶圖； 2. 如果該正的固定電荷形成在氧化層中部即 1/2tox處，平帶電壓如何變化？ 3. 比較固定電荷分別位于界面和氧化層中部時的低頻 CV特性曲線； 4. 假設在氧化層與 Si襯底界面存在呈 U型連續(xù)分布的施主型界面態(tài)（禁帶中央界面態(tài)密度極大），示意畫出其 CV特性曲線（與不存在界面態(tài)比較） 思考題 2022/6/2 25 ? MOS結構的 Si與氧化層界面存在連續(xù)分布的界面態(tài)，假設在禁帶中本征費米 Ei能級以上的界面態(tài)為類施主型，以下的是類受主型，討論分析界面態(tài)對 CV特性曲線的影響（以理想情形為標準畫圖說明）；如果在禁帶中本征費米 Ei能級以上的界面態(tài)為受主類型，以下的是類施主型，界面態(tài)對 CV特性曲線的影響又如何（以理想情形為標準畫圖說明）？ 思考題 2022/6/2 26 習題 1. 設 ，畫出 nSi襯底的 MOS電容分別在平衡、平帶、積累、耗盡、反型情形的能帶圖及理想的高頻和低頻 CV曲線，并畫出相應的電荷分布及電場分布。 2. 設氧化層厚度為 1?m的 Si MOS結構的 p型襯底的摻雜濃度分別為 N＝ 1015/cm3和 1016/cm3，比較這兩種結構的耗盡層電容和 MOS電容的極小值。 3. 從物理上說明隨氧化層厚度及摻雜濃度的變化趨勢。計算 ， 的 N型 Si MOS結構的值和德拜長度。 4. 在 MOS結構中，減薄氧化層厚度對 C－ V曲線有何影響？如果改變襯底摻雜濃度，對 C－ V曲線有何影響？ SM ?? ?315 /10 cmN ? nmtox 10?
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