11半導(dǎo)體二極管-資料下載頁
2025-10-09 08:25本頁面
【導(dǎo)讀】2．載流子：半導(dǎo)體中，攜帶電荷參與導(dǎo)電的粒子。很大變化，人們把這一類物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。3．N型半導(dǎo)體：主要靠電子導(dǎo)電的半導(dǎo)體?，F(xiàn)一個(gè)特殊的接觸面，稱為PN結(jié)。特性稱為PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。反向電流急劇增大，稱為PN結(jié)的反向擊穿。箭頭表示正向?qū)娏鞯姆较颉ｋ娐贩?hào)如圖所示。面接觸型（如圖b）和平面型（如圖c）。于大電流場合中使用?，F(xiàn)很大的電阻，如OA段，通常把這個(gè)范圍稱為死區(qū)。普通二極管不允許出現(xiàn)此種狀態(tài)。二極管長時(shí)間工作時(shí)允許通過的最大直流電流。數(shù)值，否則可能損壞二極管。流信號(hào)控制集電極的大電流信號(hào)，是“以小控大”的作用。當(dāng)VCE≥1V時(shí)，特性曲線基本重合。當(dāng)VBE很小時(shí)，IB等于零，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。的電壓VCE和集電極電流IC之間的關(guān)系。
【正文】 在 1012 ? 以上 。 它也有 N 溝道和 P 溝道兩大類 ， 每一類中又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種 。 場效晶體管 1． 電路符號(hào)和分類 ① N 溝道 — 箭頭指向內(nèi) 。 溝道用虛線為增強(qiáng)型 ， 用實(shí)線為耗盡型 ， N 溝道稱 NMOS 管 。 ② P 溝道 — 箭頭指向外 。 溝道用虛線為增強(qiáng)型 ， 用實(shí)線為耗盡型 ， P 溝道稱 PMOS 管 。 場效晶體管 四種場效晶體管的電路符號(hào)如圖所示 。 P 溝道增強(qiáng)型 N 溝道耗盡型 P 溝道耗盡型 N 溝道增強(qiáng)型 2． 結(jié)構(gòu)和工作原理 （ 1） 結(jié)構(gòu) 場效晶體管 ② 在源區(qū)和漏區(qū)之間的襯底表面覆蓋一層很薄的絕緣層 ， 再在絕緣層上覆蓋一層金屬薄層 ，形成柵極 （ G） 。 ① N 型區(qū)引出兩個(gè)電極：漏極 （ D） 、 源極 （ S） 。 ③ 從襯底基片上引出一個(gè)電極 ， 稱為襯底電極 。 以 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 為例 。 （ 2） 工作原理 ① 當(dāng) VGS = 0 ， 在漏 、 源極間加一正向電壓 VDS 時(shí) ， 漏源極之間的電流 ID = 0 。 ② 當(dāng) VGS VT ， 在絕緣層和襯底之間感應(yīng)出一個(gè)反型層 ，使漏極和源極之間產(chǎn)生導(dǎo)電溝道 。 在漏 、 源極間加一正向電壓 VDS 時(shí) ， 將產(chǎn)生電流 ID 。 總結(jié)： VGS 越大 ， 導(dǎo)電溝道越寬 ，溝道電阻越小 ， ID 越大 。 則通過調(diào)節(jié) VGS可控制漏極電流 ID 。 （ 3） 輸出特性和轉(zhuǎn)移特性（ 與晶體管類似 ） 。 場效晶體管 3． 電壓放大作用 MOS 場效晶體管放大電路與結(jié)型場效晶體管放大電路的工作原理相似 。 N 溝道耗盡型場效晶體管的 VGS 可取負(fù)值 ， 取正值和零均能正常工作 。 通常將增強(qiáng)型 MOS 管簡寫為 EMOS， 耗盡型 MOS 管簡寫為 DMOS。 場效晶體管 MOSFET 和三極管的比較 1． MOSFET 溫度穩(wěn)定性好 。 2． MOSFET 輸入電阻極高 ， 因此 ， MOSFET 放大級(jí)對前級(jí)的放大能力影響極小 。 3． MOSFET 存放時(shí) ， 應(yīng)使柵極與源極短接 ， 避免柵極懸空 。 4． MOSFET 的源極和漏極可以互換使用 。 場效晶體管 本章小結(jié) 2． 晶體二極管的核心是 PN 結(jié) ， 故具有單向?qū)щ娦?。 二極管屬于非線性器件 ， 其伏安特性是非線性的 。 二極管的門坎電壓 ，硅管約 V ， 鍺管約 V。 導(dǎo)通電壓 ， 硅管約 V ， 鍺管約 V。 1． 本征半導(dǎo)體內(nèi)存在兩種載流子：自由電子和空穴 。 雜質(zhì)半導(dǎo)體有 P 型和 N 型兩種 ， P 型半導(dǎo)體中空穴是多子 ， N 型半導(dǎo)體中自由電子是多子 。 PN 結(jié)是在 P 型半導(dǎo)體與 N 型半導(dǎo)體交界面附近形成的空間電荷區(qū) ， 也叫阻擋層或耗盡層 。 PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦?， 即正偏時(shí)導(dǎo)通 ， 反偏時(shí)截止 。 4． MOS 管是一種電壓控制器件 。 MOS 管的優(yōu)點(diǎn)是：輸入阻抗高 、 受幅射和溫度影響小 、 集成工藝簡單 。 超大規(guī)模集成電路主要應(yīng)用 MOS 管 。 3． 晶體三極管是一種電流控制器件 ， 它以較小的基極電流控制較大的集電極電流 ， 以較小的基極電流變化控制較大的集電極電流變化 。 所謂電流放大作用 ， 實(shí)質(zhì)上就是這種 “ 小控制大 ” ，“ 小變化控制大變化 ” 的作用 。 三極管有 PNP 型和 NPN 型兩大類 。 管外有三個(gè)電極：發(fā)射極 、 基極和集電極；管內(nèi)有兩個(gè) PN 結(jié)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié) 。 使用時(shí)有三種電路組態(tài)：共發(fā)射極 、 共基極和共集電極組態(tài)；三種工作狀態(tài)：截止?fàn)顟B(tài) 、 飽和狀態(tài)和放大狀態(tài) 。 兩種基本功能：開關(guān)功能和放大功能 。
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