11半導(dǎo)體二極管-預(yù)覽頁
【正文】 56 IE/mA 0. 57 結(jié)論： IE = IB + IC 三極管的電流分配規(guī)律：發(fā)射極電流等于基極電流和極電極電流之和 。 結(jié)論：要使三極管起放大作用，必須保證發(fā)射結(jié)加正向偏置電壓，集電結(jié)加反向偏置電壓。 三極管在構(gòu)成放大器時(shí) ， 有三種基本連接方式： 三極管的基本連接方式 半導(dǎo)體三極管 （ 2） 共基極電路 （ CB） ：把三極管的基極作為公共端子 。 由圖可見： （ 1） 當(dāng) V CE ≥ 1 V 時(shí) ， 特性曲線基本重合 。 （ 5） VBE 與 IB 成非線性關(guān)系 。 測(cè)試電路如圖所示 。 在放大狀態(tài) ， 當(dāng) IB 一定時(shí) ， IC 不隨 VCE 變化 ， 即放大狀態(tài)的三極管具有恒流特性 。 （ 1）截止區(qū) 特點(diǎn)： IB = 0， IC = ICEO 。 （ 1） 共射極電流放大倍數(shù) ? 兩者關(guān)系： ICEO = （ 1 + ? ） ICBO 半導(dǎo)體三極管 （ 3） 極限參數(shù) ② 反向擊穿電壓 。 半導(dǎo)體三極管 當(dāng) IC 過大時(shí) ， 電流放大系數(shù) ? 將下降 。 三極管應(yīng)工作在三極管最大損耗曲線圖中的安全工作區(qū) 。 若測(cè)得的阻值都很大 ， 則黑表筆所接的是 PNP 型三極管的基極 。 ③ 若 為 PNP 型三極管 ， 只要將紅表筆和黑表筆對(duì)換再按上述方法測(cè)試即可 。 4． 判斷三極管 ICEO 的大小 以 NPN 型為例 ， 用萬用表測(cè)試 C、 E 間的阻值 ， 阻值越大 ， 表示 ICEO 越小 。 片狀三極管 半導(dǎo)體三極管 大功率三極管 ：額定功率在 1 W ~ W 的大功率三極管 ， 一般采用 SOT89 形式封裝 。 表 12 部分帶阻片狀三極管型號(hào)和極性 型號(hào) 極性 R1/R2 型號(hào) 極性 R1/R2 DTA114Y P 10 k?/47 k? DTC114E N 10 k?/10 k? DTA114E P 100 k?/100 k? DTC124E N 22 k?/22 k? DTA123Y P k?/ k? DTC114 N 47 k?/47 k? DTA143X P k?/22 k? DTC114WK N 47 k?/22 k? DTC143X N k?/10 k? DTC114T N R1=10 k? DTC363E N k?/ k? DTC124T N R1=22 k? 半導(dǎo)體三極管 3． 復(fù)合雙三極管 在一個(gè)封裝內(nèi)包含兩只三極管的新型器件 。 根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理不同 ， 場(chǎng)效晶體管可分為 { 結(jié)型 （ JFET） 絕緣柵型 （ MOSFET） 結(jié)型場(chǎng)效晶體管 1． 符號(hào)和分類 結(jié)型場(chǎng)效晶體管的電路 符號(hào)和外形如圖所示 。 場(chǎng)效晶體管共源極電路中 ， 漏極電流受柵源電壓控制 。 它也有 N 溝道和 P 溝道兩大類 ， 每一類中又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種 。 溝道用虛線為增強(qiáng)型 ， 用實(shí)線為耗盡型 ， P 溝道稱 PMOS 管 。 ③ 從襯底基片上引出一個(gè)電極 ， 稱為襯底電極 。 在漏 、 源極間加一正向電壓 VDS 時(shí) ， 將產(chǎn)生電流 ID 。 場(chǎng)效晶體管 3． 電壓放大作用 MOS 場(chǎng)效晶體管放大電路與結(jié)型場(chǎng)效晶體管放大電路的工作原理相似 。 2． MOSFET 輸入電阻極高 ， 因此 ， MOSFET 放大級(jí)對(duì)前級(jí)的放大能力影響極小 。 二極管屬于非線性器件 ， 其伏安特性是非線性的 。 雜質(zhì)半導(dǎo)體有 P 型和 N 型兩種 ， P 型半導(dǎo)體中空穴是多子 ， N 型半導(dǎo)體中自由電子是多子 。 MOS 管的優(yōu)點(diǎn)是：輸入阻抗高 、 受幅射和溫度影響小 、 集成工藝簡(jiǎn)單 。 三極管有 PNP 型和 NPN 型兩大類 。
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