mos二極管ppt課件(2)-wenkub.com
2025-05-02 18:16 本頁面
【正文】 3. 從物理上說明隨氧化層厚度及摻雜濃度的變化趨勢。求閾值電壓 VT， 畫出能帶圖 ,氧化層上壓降是多少？ 2022/6/2 22 2022/6/2 23 ? 理想的低頻 CV在強積累和強反型的電容值等于柵氧化層電容 Cox，但在某些實驗中觀察到如下一些現(xiàn)象，分析其可能的物理機制： 1. CV曲線出現(xiàn)滯回現(xiàn)象； 2. CV曲線在耗盡區(qū)的斜率變緩； 3. 柵電極為摻雜多晶硅時，反型層電容下降；如何減弱和消除該效應(yīng)； 4. 柵電極為金屬柵，但強反型區(qū)電容值略低于強積累區(qū)電容；如何減弱該效應(yīng)； 思考題 2022/6/2 24 ? 假定 nMOS電容結(jié)構(gòu)的金屬柵電極的功函數(shù)為 M，半導(dǎo)體 Si的親和勢為，襯底摻雜濃度為 Nd（功函數(shù)為S），柵氧化層厚度為 tox。 B：加 10V正偏壓 ， 在 127?C， 30min后測試結(jié)果 C：加 10V正負偏壓 ， 在 127?C， 30min后測試結(jié)果 2022/6/2 19 例題 ? P型硅襯底 MOS結(jié)構(gòu)，襯底摻雜濃度為Na=1014， 氧化層厚度為 tox=500197。 可動離子電荷 （ mobile ionic charge） 諸如鈉離子和其它堿金屬離子 ， 在高溫和高壓下工作時 ， 它們能在氧化層內(nèi)移動 。mq?2022/6/2 5 氧化物電荷及其對 CV特性的影響 2022/6/2 6 氧化物電荷 2022/6/2 7 界面陷阱電荷 （ interface trapped charge） 硅 （ 100） 面 ， 約 ， 硅 （ 111） 面 ， 約 。因此，欲使能帶平直，即除去功函數(shù)差所帶來的影響，就必須在金屬電極上加電壓。39。39。39。)2(22022/6/2 4 39。這個電壓一部分用來拉平二氧化硅的能帶，一部分用
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