【摘要】半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)Chapter8.FET的補(bǔ)充分析CMOS器件設(shè)計(jì)與性能參數(shù)二、CMOS性能參數(shù)集成度、開關(guān)速度和功率消耗是VLSI的主要參數(shù),主要關(guān)注影響開關(guān)速度的若干因數(shù)。基本CMOS電路元件寄生單元(電阻與電容)CMOS延遲對(duì)器件參數(shù)的依賴先進(jìn)CMOS器件的
2025-05-03 08:13
【摘要】§雙極型晶體三極管BJT雙極型三極管:BipolarJunctionTransistor只有一種極性的載流子參與導(dǎo)電.三極管有兩種極性的載流子參與導(dǎo)電.單極型三極管(場(chǎng)效應(yīng)管):FieldEffectTransistor按工作頻率分:高頻管、低頻管按功率分:小、中、大功率管按材料分:硅管、
2025-01-19 12:11
【摘要】晶體三極管知識(shí)晶體三極管作為重要的半導(dǎo)體器件,其基本結(jié)構(gòu)和工作原理需要掌握。下面具體介紹。三極管的基本結(jié)構(gòu)是兩個(gè)反向連結(jié)的pn接面,如圖1所示,可有pnp和npn兩種組合。三個(gè)接出來(lái)的端點(diǎn)依序稱為射極(emitter,E)、基極(base,B)和集極(collector,C),名稱來(lái)源和它們?cè)谌龢O管操作時(shí)的功能有關(guān)。圖中也顯示出npn與pnp三極管的
2025-06-24 12:36
【摘要】XJ4810晶體管特性圖示儀說(shuō)明書晶體管測(cè)量?jī)x器是以通用電子測(cè)量?jī)x器為技術(shù)基礎(chǔ),以半導(dǎo)體器件為測(cè)量對(duì)象的電子儀器。用它可以測(cè)試晶體三極管(NPN型和PNP型)的共發(fā)射極、共基極電路的輸入特性、輸出特性;測(cè)試各種反向飽和電流和擊穿電壓,還可以測(cè)量場(chǎng)效管、穩(wěn)壓管、二極管、單結(jié)晶體管、可控硅等器件的各種參數(shù)。下面以XJ4810型晶體特性圖示儀為例介紹晶體管圖示儀的使用方法。圖
2025-03-25 03:39
【摘要】2022/2/111半導(dǎo)體器件物理劉艷紅155247556802022/2/112教材?MOS器件原理?納米CMOS器件?甘學(xué)溫黃如劉曉彥張興編著?科學(xué)出版社20222022/2/113成績(jī)?平時(shí)小考試:30?平時(shí)作業(yè):20
2025-01-14 07:18
【摘要】2022/6/21實(shí)際MOS的平帶電壓及C-V特性2022/6/22功函數(shù)差的影響2022/6/23qVoxq?s????smsmFBfpgmsoxsfpgoxmVEVqEV??????????????????????????????
2025-05-05 18:16
【摘要】晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)VLSIC是高度復(fù)雜的集成系統(tǒng),為保證設(shè)計(jì)的正確性并且降低設(shè)計(jì)難度,提高設(shè)計(jì)效率,避免由于在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中采用復(fù)雜結(jié)構(gòu)而引入不可靠因素,因此,在VLSI的設(shè)計(jì)技術(shù)中大量地采用規(guī)則結(jié)構(gòu),晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)就是其中之一。在這個(gè)結(jié)構(gòu)中的基本單元就是MOS晶體管或CMOS晶體管對(duì)。晶體管陣列及其邏輯
2025-02-22 23:42
【摘要】緩變基區(qū)晶體管:基區(qū)摻雜近似為指數(shù)分布,少子在基區(qū)主要作漂移運(yùn)動(dòng),又稱為漂移晶體管緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)本節(jié)以NPN管為例,結(jié)電壓為VBE與VBC。PN+N0xjcxjeNE(x)NB(x)NCx0xjcxje本節(jié)求基區(qū)輸運(yùn)
2025-05-13 04:23
【摘要】武漢理工大學(xué)《晶體管器件》課程設(shè)計(jì)說(shuō)明書摘要三極管放大倍數(shù)β值測(cè)量電路的功能是利用三極管的電流分配特性,將放大倍數(shù)β值的測(cè)量轉(zhuǎn)化為對(duì)三極管電流的測(cè)量,同時(shí)實(shí)現(xiàn)用發(fā)光二極管顯示出被測(cè)三極管的放大倍數(shù)β值。電源電路的功能是為上述所有電路提供直流電源。本晶體管β值測(cè)量電路主要由電源電路、I/V轉(zhuǎn)換電路、電壓比較電路、放大電路和顯示電路(LED)6部分構(gòu)成。經(jīng)ORCAD仿真和實(shí)際操作,初步實(shí)
2025-06-30 02:10
【摘要】ECII??BCII??BEII)1(???三、晶體管的共射特性曲線特性曲線:晶體管的各電極電壓與電流之間的關(guān)系曲線。(1)輸入特性曲線:CEu常數(shù)??CEuBEBufi)(由于發(fā)射結(jié)是正向偏置的PN結(jié),所以它的曲線與PN結(jié)的曲線相似。uCE增加時(shí)集電結(jié)反偏,發(fā)射區(qū)進(jìn)入基區(qū)的電子更
2025-01-19 18:44
【摘要】電子電路綜合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)三晶體管放大倍數(shù)β檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)報(bào)告信息與通信工程學(xué)院摘要:簡(jiǎn)易晶體管放大倍數(shù)β檢測(cè)電路由三極管類型判別電路,三極管放大倍數(shù)檔位判別電路,顯示電路,報(bào)警電路和電源電路五部分構(gòu)成。三極管有電流放大功能,當(dāng)放大后的電流大小不同時(shí),三極管的集電極電壓也不同。一般
2025-08-16 17:52
【摘要】?晶體管的熱學(xué)性質(zhì)?晶體管的二次擊穿和安全工作區(qū)?晶體管的開關(guān)特性?高頻晶體管的設(shè)計(jì)考慮晶體管的熱學(xué)性質(zhì)?晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系?結(jié)溫與熱阻?熱穩(wěn)定性條件?器件版圖結(jié)構(gòu)?反向截止電流與溫度的關(guān)系212CBOCBOdIEgI
2025-10-09 16:06