場效應(yīng)晶體管的補(bǔ)充ii(完整版)
【正文】 計(jì)范圍內(nèi)） 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) （ 4）延遲對柵氧化層厚度的依賴 薄氧化層對延遲影響較小，但可減小溝道長度，提高器件性能。 CMOS 與門和或門電路 (邏輯計(jì)算 ) 在與電路中 ,nMOSFET串聯(lián)在輸出端與地之間 , pMOSFET并聯(lián)在電源與輸出端之間 .(所有輸入端處于高電平時(shí) ,輸出為低 .) 更多地采用于 CMOS技術(shù)中 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 在或電路中 ,nMOSFET并聯(lián)在輸出端與地之間 , pMOSFET串聯(lián)在電源與輸出端之間 .(所有輸入端處于低電平時(shí) ,輸出為高 .) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 寄生單元 (電阻與電容 ) 1。源漏電阻 : 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) ?積累層電阻與擴(kuò)展電阻 積累層電阻依賴于柵壓 ,被認(rèn)為是 Leff的一部分 . 擴(kuò)展電阻 : 陡峭的源漏結(jié) , 注入點(diǎn)接近于溝道的金屬結(jié)端點(diǎn) , 以上二電阻均很小 . 漸變的源漏結(jié) , 注入點(diǎn)離開金屬結(jié) , 二電阻較大 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) ?薄層電阻 : ?接觸電阻 : 短接觸 長接觸 自對準(zhǔn)硅化物工藝中的電阻 (薄層電阻和接觸電阻均大大減小 ) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 2。 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 3. 延遲對電源電壓和閾值電壓的影響 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 電源電壓與閾值電壓設(shè)計(jì)平面中的功率與延遲的折衷 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 4. 延遲對寄生電阻和電容的依賴 （ 1）延遲對寄生電阻的依賴 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 2）延遲對交迭電容的依賴 半導(dǎo)體器件原理
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