緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)(完整版)
【正文】 似，緩變的基區(qū)禁帶寬度也將在基區(qū)中產(chǎn)生一個對少子起加速作用的內(nèi)建電場，降低少子的基區(qū)渡越時間。另一種 HBT 結(jié)構(gòu)是用 SiGe 做基區(qū)， Si 做發(fā)射區(qū)。 發(fā)射區(qū)重?fù)诫s的影響 重?fù)诫s效應(yīng)： 當(dāng)發(fā)射區(qū)摻雜濃度 NE 太高時，不但不能提高注入效率 γ ，反而會使其下降，從而使 α 和 β 下降。 設(shè)基區(qū)雜質(zhì)濃度分布為 式中 是表征基區(qū)內(nèi)雜質(zhì)變化程度的一個參數(shù)， 當(dāng) 時為均勻基區(qū)； ???????? ??BBB e x p)0()( WxNxN ?)()0(lnBBBWNN??? ???? ex p)0()( BBB NWN?0??? 因為 ， ，所以內(nèi)建電場對渡越基區(qū)的電子起加速作用，是 加速場 。 令基區(qū)多子電流為零， Bp p p Bd ( ) ( ) 0dpxJ q D q p x Ex ?? ? ? ?解得 內(nèi)建電場 為 0E?Bd 0dNx ?p BpBd ( )1( ) dD pxEp x x?? ? ? 小注入時，基區(qū)中總的多子濃度即為平衡多子濃度， )()()( BBOB xNxpxp ??nBnBd ( )1( ) dD N xN x x?? ? ? 將基區(qū)內(nèi)建電場 E 代入電子電流密度方程，可得注入基區(qū)的少子形成的電流密度（其參考方向為從右向左）為 基區(qū)少子電流密度與基區(qū)少子濃度分布 B B B Bn E n n B n nBd d dd d dn n n NJ q D q n E q D q Dx x N x?? ? ? ? ? ? ?? ?BBn E B n B B00ddWWJ N x q D n N????01ex p)( BCB0BB ??????? ????????kTqVnWn? ? BBn E B n B BddddnNJ N x q D N nxx??? ? ?????? ?BBn d dnNqD x??? ?n B B B B B B( ) ( ) ( 0 ) ( 0 )q D n W N W n N? ? ?n B B(0 ) (0 )q D n N?Bn B BnEB0( 0) ( 0)dWqD n NJNx???????? ???????? 1ex p)0()0(BEB2iB kTqVNnnB2n i B EB0e x p 1dWq D
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