晶體管特性圖示儀測(cè)試(完整版)
【正文】 置于測(cè)試所需位置。4. 對(duì)被測(cè)管進(jìn)行必要的估算，以選擇合適的階梯電流或階梯電壓，一般宜先小一點(diǎn)，再根據(jù)需要逐步加大。39. X軸信號(hào)輸入：X軸選擇開關(guān)置外接時(shí)，X軸信號(hào)由此插座輸入。二簇特性曲線比較時(shí)，請(qǐng)不要誤按單簇按鍵。一般選用基極電流/級(jí)，當(dāng)測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)選用基極源電壓/級(jí)。⑵接地：放大器輸入接地，表示輸入為零的基準(zhǔn)點(diǎn)。12. 輔助聚焦：與聚焦旋鈕配合使用。AC擋的設(shè)置專為二極管或其他元件的測(cè)試提供雙向掃描，以便能同時(shí)顯示器件正反向的特性曲線。用它可以測(cè)試晶體三極管（NPN型和PNP型）的共發(fā)射極、共基極電路的輸入特性、輸出特性；測(cè)試各種反向飽和電流和擊穿電壓，還可以測(cè)量場(chǎng)效管、穩(wěn)壓管、二極管、單結(jié)晶體管、可控硅等器件的各種參數(shù)。4. 功耗限制電阻：它是串聯(lián)在被測(cè)管的集電極電路中，限制超過功耗，亦可作為被測(cè)半導(dǎo)體管集電極的負(fù)載電阻。9. 電源指示：接通電源時(shí)燈亮。旋鈕拉出，放大器增益擴(kuò)大10倍，電流/度各擋IC標(biāo)值，同時(shí)指示燈14亮.16. Y軸增益：校正Y軸增益。22. 調(diào)零旋鈕 ：測(cè)試前，應(yīng)首先調(diào)整階梯信號(hào)的起始級(jí)零電平的位置。28. 極性按鍵：極性的選擇取決于被測(cè)管的特性。36. 二極管反向漏電流專用插孔（接地端）。一般情況下，應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零，更改掃描電壓范圍時(shí)，也應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零。觀察完畢，應(yīng)及時(shí)將峰值電壓調(diào)到零。1. 晶體管hFE和β值的測(cè)量以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊(cè)得知3DK2 hFE的測(cè)試條件為VCE =1V、IC=10mA。被測(cè)管的接線方法如圖128，其中圖A28（a）測(cè)ICBO值，圖A28（b）測(cè)ICEO值、圖A28（c）測(cè)IEBO值。圖A30 反向擊穿電壓曲線（NPN） 圖A31 反向擊穿電壓曲線（PNP）讀數(shù)：BVCBO=70V（IC=100μA）BVCEO=60V（IC=200μA）BVEBO=（IC=100μA）PNP型晶體管的測(cè)試方法與NPN型晶體管的測(cè)試方法相似。測(cè)試時(shí)，儀器各部件的置位詳見表A8。 圖A34 二簇輸出特性曲線。讀數(shù)：IR=4div(倍率)=80 nA測(cè)量結(jié)果表明，被測(cè)管性能符合要求。 以2CW19穩(wěn)壓二極管為例，查手冊(cè)得知2CW19穩(wěn)定電壓的測(cè)試條件IR=3mA。讀數(shù)：ICBO=（VCB=10V） ICEO=1μA（VCE=10V） 圖A29 反向電流測(cè)試曲線PNP型晶體管的測(cè)試方法與NPN型晶體管的測(cè)試方法相同。儀器部件的置位詳見表A4。2. 調(diào)節(jié)輝度、聚焦及輔
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