mos晶體管ppt課件(參考版)
2025-05-08 18:16本頁(yè)面
【正文】 圖 柵 源電壓 vGS控制導(dǎo)電溝道寬窄 TGSDS Vvv ??（ a） TGSDS Vvv ??（ b） TGSDS Vvv ??（ c） 圖 NMOS管的工作狀態(tài)示意圖 MOS晶體管的電流電壓關(guān)系 非飽和區(qū)（線性電阻區(qū)） ? ? ?????? ??? 221DSDSTGSD vvVvLWKI （ ） ? ?22TGSDVvLWKI ?? （ ） 飽和區(qū)（線性放大區(qū)） 輸出特性曲線 圖 NMOS晶體管輸出特性曲線 MOS晶體管主要特性參數(shù) 閾值電壓 ? ?FSBF V ?????? 22VV T0T ?oxSSoxBFms CQCQ ?????? 0T 2VqNC insox??? 021?一種形式： 另一種形式： 跨導(dǎo) 常數(shù)????DSvGSvdimg。 圖 PMOS晶體管 MOS晶體管工作原理 圖 導(dǎo)電溝道沒(méi)有形成 當(dāng) MOS管柵極上沒(méi)有外加電壓時(shí) ， MOS管的漏區(qū)和源區(qū)被兩個(gè)二極管隔開(kāi) ， 如圖 ， 源區(qū)和漏區(qū)之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道形成 ， 呈現(xiàn)出高阻狀態(tài) 。 我們把源區(qū)和漏區(qū)兩個(gè)摻雜區(qū)之間的距離稱為溝道長(zhǎng)度 L， 而垂直于溝道長(zhǎng)度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度 W。 MOS晶體管結(jié)構(gòu) 根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同 ， MOS晶體管可分為 P溝道 MOS晶體
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