mos場效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)(參考版)
2025-05-14 19:00本頁面
【正文】 gsTCgdTCG??gsVDgsmVgdsrS??gsVgsTCGD小信號等效電路 gsmVgLRS??gsVgsTCG DgdTC??dViI dI)( dgsg d Tgsg s Ti VVCjVCjI ??? ?? 0)( ????gsdgdTgsmLd VVCjVgRV ?柵極： 漏極： gsgdTLLmgdTg s Ti VCRjRgCCjI?????????????????????? 11???????????gdTLLmgdTM CRjRgCC?11gsmVgLRS??gsVgsTCG DMC??dViI dI頻率限制因素與截止頻率 輸入電流： 截止頻率： gsMg s Ti VCCjI )( ?? ?gsmVgLRS??gsVgsTCG DMC??dViI dIgsmd VgI ?gsMgs Tmid VCCjgII)( ?? ?輸出電流： 電流增益： GmMgs TmT CgCCgf?? 2)(2 ???gsgdTLLmd VCRjRgV?????????????111電壓增益： 22)(LVVf TGSnT ?? ?? CMOS技術(shù) （ 1） CMOS電路 （ 2）器件結(jié)構(gòu) V +V 輸入 輸出 N型襯底 輸出 P阱 +V V 輸入 *問題 ：閂鎖效應(yīng) 優(yōu)點(diǎn) ： 互補(bǔ)，一開一關(guān)； 電流小，功耗低； 充放電回路短，速度快； 線性好，溫漂小。pgsmVg 39。(m a x)39。39。[39。 ??? ??fps ?? 2?fpe?電流 電壓關(guān)系（定量） 電流 公式 )2()( msfpxGSox VVV ?? ????( m a x ) ]39。)( ??? ?????smms 39。?ssoxmxGS eeeVeVVe 39。 SDnssoxox QVC ????電流 電壓關(guān)系（定量） （ c）電勢關(guān)系 msfpoxxGS VVV ?? ???? 2（ d）能量關(guān)系 S??xV x??oxV??GSV金屬 氧化物 半導(dǎo)體 cEFiEFsEvEOXeVse?FmE)( xGS VVe ?me 39。39。39。 ???( m a x )39。39。39。39。ssQ39。金屬 氧化層 P型半導(dǎo)體 （ a）電荷關(guān)系 (max)39。mQ39。)()( ??????????? ? ?? ?? ?電流 電壓關(guān)系（定量） dTx(max)39。)( ?? ????DSdD VgI ?nnD QLWg 39。min39。C039。CGVOXC39。Q?39。Q? 39。Q?39。Q?39。dnfsdT eNx??4?耗盡 GV低頻 高頻 非理想效應(yīng) 039。CSDC39。COXC39。FBC39。DsOXOXOXFBLtC?????39。堆積 耗盡
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