場(chǎng)效應(yīng)晶體管的補(bǔ)充ii(參考版)
2025-05-06 08:13本頁(yè)面
【正文】 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 4. MOS電容的應(yīng)用 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 。 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 改變閾值電壓的趨勢(shì)（降低閾值電壓保持電流不變，采用低高結(jié)）并充分利用陡峭的亞閾值斜率。 ?技術(shù)與工藝的困難 低溫工藝的要求 源漏電阻的增大又將消除性能的改進(jìn)。中性區(qū)的電位依賴于開(kāi)關(guān)頻度。 ?短溝道器件中，埋層氧化層象一寬的柵耗盡區(qū)，使源漏電場(chǎng)極易穿過(guò)而導(dǎo)致差的短溝道效應(yīng)。 ?免除 軟偏差，結(jié)端積累的少數(shù)載流子（硅中高能輻射產(chǎn)生）會(huì)擾亂邏輯存儲(chǔ)態(tài)，而埋藏的氧化層將大幅度減少受離化輻射的體積。 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 3. 延遲對(duì)電源電壓和閾值電壓的影響 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 電源電壓與閾值電壓設(shè)計(jì)平面中的功率與延遲的折衷 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 4. 延遲對(duì)寄生電阻和電容的依賴 （ 1）延遲對(duì)寄生電阻的依賴 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 2）延遲對(duì)交迭電容的依賴 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) （ 3）米勒效應(yīng)：電容兩邊的充電電壓隨時(shí)間而改變所引起 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) （ 4）延遲對(duì)結(jié)電容的依賴 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 先進(jìn) CMOS器件與 MOS電容的應(yīng)用 1. SOI CMOS SOI 襯底由氧離子注入（ SIMOX）和鍵合技術(shù)，材料技術(shù)與現(xiàn)有 CM
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