場效應(yīng)晶體管的補(bǔ)充ii(已修改)
2025-05-15 08:13 本頁面
【正文】 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) Chapter 8. FET的補(bǔ)充分析 CMOS 器件設(shè)計與性能參數(shù) 二、 CMOS 性能參數(shù) 集成度、開關(guān)速度和功率消耗是 VLSI的主要參數(shù)，主要關(guān)注影響開關(guān)速度的若干因數(shù)。 基本 CMOS電路元件 寄生單元 (電阻與電容 ) CMOS 延遲對器件參數(shù)的依賴 先進(jìn) CMOS器件的性能參數(shù) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 基本 CMOS電路元件 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 1。 CMOS 反相器 在任何一個狀態(tài) , 僅有一個晶體管導(dǎo)通 , 沒有靜態(tài)電流與功率消耗 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) （ 1） CMOS反相器的傳輸特性 CMOS與 MOSFET輸入輸出特性的不同點： ?nMOSFET電流電壓控制規(guī)則相同 ? pMOSFET (Vs=Vdd),: Vin高， Vg低（ IP?。? ； Vin低， Vg=Vdd (Ip大） Vout高， Vds低；（ IP?。? Vout低 , Vds=Vdd (Ip大） 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) VoutVin 曲線的高到低轉(zhuǎn)變區(qū)的陡峭度反映了數(shù)字電路 的性能 . 高低轉(zhuǎn)變點發(fā)生在中點 : Vin=Vdd/2?IP=IN ?Wp/Wn=In/Ip 對短溝道器件 , In/Ip要小一些 (速度飽和效應(yīng) ) AC, nMOSFET工作在飽和區(qū) , pMOSFET工作在線性區(qū) BD, pMOSFET工作在飽和區(qū) , nMOSFET工作在線性區(qū) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) （ 2） CMOS反相器的開關(guān)特性
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