場效應(yīng)晶體管的補充ii-展示頁
2025-05-12 08:13本頁面
【正文】 Vin=Vdd/2?IP=IN ?Wp/Wn=In/Ip 對短溝道器件 , In/Ip要小一些 (速度飽和效應(yīng) ) AC, nMOSFET工作在飽和區(qū) , pMOSFET工作在線性區(qū) BD, pMOSFET工作在飽和區(qū) , nMOSFET工作在線性區(qū) 半導體器件原理 南京大學 （ 2） CMOS反相器的開關(guān)特性 開及關(guān)的延遲相等 半導體器件原理 南京大學 C 電容充電 C+ 電容放電 pMOS電阻消耗 C+ 電容充電 C 電容放電 nMOS電阻消耗 半導體器件原理 南京大學 2。半導體器件原理 南京大學 Chapter 8. FET的補充分析 CMOS 器件設(shè)計與性能參數(shù) 二、 CMOS 性能參數(shù) 集成度、開關(guān)速度和功率消耗是 VLSI的主要參數(shù)，主要關(guān)注影響開關(guān)速度的若干因數(shù)。 基本 CMOS電路元件 寄生單元 (電阻與電容 ) CMOS 延遲對器件參數(shù)的依賴 先進 CMOS器件的性能參數(shù) 半導體器件原理 南京大學 基本 CMOS電路元件 半導體器件原理 南京大學 1。 CMOS 與門和或門電路 (邏輯計算 ) 在與電路中 ,nMOSFET串聯(lián)在輸出端與地之間 , pMOSFET并聯(lián)在電源與輸出端之間 .(所有輸入端處于高電平時 ,輸出為低 .) 更多地采用于 CMOS技術(shù)中 . 半導體器件原理 南京大學 在或電路中 ,nMOSFET并聯(lián)在輸出端與地之間 , pMOSFET串聯(lián)在電源與輸出端之間 .(所有輸入端處于低電平時 ,輸出為高
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1