場效應(yīng)晶體管的補充ii-wenkub.com
2025-04-30 08:13 本頁面
【正文】 同時低溫下金屬互連也有較大的改進，使互連 RC延遲減小。 （ 2） SOI CMOS性能參數(shù)（強烈依賴于負載） 半導(dǎo)體器件原理 南京大學 半導(dǎo)體器件原理 南京大學 2. SiGe 或應(yīng)變硅 MOSFET SiGe 或應(yīng)變硅中載流子的遷移率較體硅中有一增加 ?空穴遷移率在張應(yīng)力或壓應(yīng)力下均增加（簡并度的解除和傳導(dǎo)質(zhì)量的減?。? ?電子遷移率在張應(yīng)力下增加（傳導(dǎo)質(zhì)量的減小導(dǎo)致較低的兩個能谷的電子數(shù)量的增加） ?寄生電阻和速度飽和效應(yīng)會減少 CMOS性能的改進大小。 （ 1）部分耗盡和全部耗盡 SOI MOSFETS ?部分耗盡：硅層厚度大于最大柵耗盡層厚度 ?全部耗盡：硅層厚度小于最大柵耗盡層厚度 半導(dǎo)體器件原理 南京大學 ?長溝道器件 FD SOI MOSFETS的亞閾值斜率接近理想值 (體效應(yīng)系數(shù)接近 1， Wdm很大 )?低 閾值電壓和工作電壓。 半導(dǎo)體器件原理 南京大學 （ 3）延遲對溝道長度的依賴 速度飽和 半導(dǎo)體器件原理 南京大學 反相器的延遲隨溝道長度線性地改善（在設(shè)計范圍內(nèi)） 半導(dǎo)體器件原理 南京大學 （ 4）延遲對柵氧化層厚度的依賴 薄氧化層對延遲影響較小，但可減小溝道長度，提高器件性能。互連電阻與電容 （ 1）互連電容 在 CMOS反相器或與門中可忽略 , 但在 VLSI芯片或系統(tǒng)中 , 互連電阻與電容將對性能起重要的作用 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學 半導(dǎo)體器件原理 南京大學 當金屬線或間距尺寸與絕緣或線厚度大致相等時 ,總電容顯示一較寬的最低值 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學 （ 2）互連的等比例縮小 所有線性尺寸 , 金屬線長度、寬度、厚度、間距和絕
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