場效應晶體管的補充ii(編輯修改稿)
2025-05-30 08:13 本頁面
【文章內容簡介】 4?；ミB電阻與電容 （ 1）互連電容 在 CMOS反相器或與門中可忽略 , 但在 VLSI芯片或系統(tǒng)中 , 互連電阻與電容將對性能起重要的作用 . 半導體器件原理 南京大學 半導體器件原理 南京大學 當金屬線或間距尺寸與絕緣或線厚度大致相等時 ,總電容顯示一較寬的最低值 . 半導體器件原理 南京大學 （ 2）互連的等比例縮小 所有線性尺寸 , 金屬線長度、寬度、厚度、間距和絕緣層厚度均等比例縮小 . 半導體器件原理 南京大學 （ 3）互連電阻 局域的互連：尺度的縮小不導致 RC的問題 （ 4）大尺度互連的 RC延遲（不同的等比例縮小規(guī)則） 半導體器件原理 南京大學 半導體器件原理 南京大學 CMOS 延遲對器件參數(shù)的依賴 開關電阻、輸入電容和輸出電容 1. 延遲傳遞和延遲方程 (1) CMOS反相器鏈的延遲傳遞 半導體器件原理 南京大學 (2) 延遲方程：開關電阻、輸入與輸出電容（有負載） 三級輸出： 半導體器件原理 南京大學 (3) CMOS延遲等比例變化：理想情況下將等比例減小。 電阻減小兩倍，而電容基本不變（單位電容增加） 但實際并非如此，因閾值電壓與關斷電流的矛盾。 半導體器件原理 南京大學 2. 延遲對溝道寬度、長度和柵氧化層厚度的依賴 （ 1） CMOS延遲對 pMOSFET/nMOSFET寬度比的依賴 半導體器件原理 南京大學 （ 2）器件寬度效應與負載電容 增大寬度將減小開關電阻，改善延遲。 插入一緩沖區(qū)（寬度 k）或驅動器，以提高驅動能力，減小負載延遲。 半導體器件原理 南京大學 （ 3）延遲對溝道長度的依賴
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1