場(chǎng)效應(yīng)晶體管的補(bǔ)充ii-wenkub
2023-05-18 08:13:19 本頁(yè)面
【正文】 緣層厚度均等比例縮小 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) （ 3）互連電阻 局域的互連：尺度的縮小不導(dǎo)致 RC的問(wèn)題 （ 4）大尺度互連的 RC延遲（不同的等比例縮小規(guī)則） 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) CMOS 延遲對(duì)器件參數(shù)的依賴 開關(guān)電阻、輸入電容和輸出電容 1. 延遲傳遞和延遲方程 (1) CMOS反相器鏈的延遲傳遞 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) (2) 延遲方程：開關(guān)電阻、輸入與輸出電容（有負(fù)載） 三級(jí)輸出： 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) (3) CMOS延遲等比例變化：理想情況下將等比例減小。 CMOS 與門和或門電路 (邏輯計(jì)算 ) 在與電路中 ,nMOSFET串聯(lián)在輸出端與地之間 , pMOSFET并聯(lián)在電源與輸出端之間 .(所有輸入端處于高電平時(shí) ,輸出為低 .) 更多地采用于 CMOS技術(shù)中 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 在或電路中 ,nMOSFET并聯(lián)在輸出端與地之間 , pMOSFET串聯(lián)在電源與輸出端之間 .(所有輸入端處于低電平時(shí) ,輸出為高 .) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 寄生單元 (電阻與電容 ) 1。半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) Chapter 8. FET的補(bǔ)充分析 CMOS 器件設(shè)計(jì)與性能參數(shù) 二、 CMOS 性能參數(shù) 集成度、開關(guān)速度和功率消耗是 VLSI的主要參數(shù)，主要關(guān)注影響開關(guān)速度的若干因數(shù)。源漏電阻 : 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) ?積累層電阻與擴(kuò)展電阻 積累層電阻依賴于柵壓 ,被認(rèn)為是 Leff的一部分 . 擴(kuò)展電阻 : 陡峭的源漏結(jié) , 注入點(diǎn)接近于溝道的金屬結(jié)端點(diǎn) , 以上二電阻均很小 . 漸
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