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正文內(nèi)容

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的補(bǔ)充ii-在線瀏覽

2025-06-20 08:13本頁面
  

【正文】 .) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 寄生單元 (電阻與電容 ) 1。寄生電容 (結(jié)電容與交迭電容 ) ?結(jié)電容 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) ?交迭電容 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 3。互連電阻與電容 ( 1)互連電容 在 CMOS反相器或與門中可忽略 , 但在 VLSI芯片或系統(tǒng)中 , 互連電阻與電容將對(duì)性能起重要的作用 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 當(dāng)金屬線或間距尺寸與絕緣或線厚度大致相等時(shí) ,總電容顯示一較寬的最低值 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) ( 2)互連的等比例縮小 所有線性尺寸 , 金屬線長(zhǎng)度、寬度、厚度、間距和絕緣層厚度均等比例縮小 . 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) ( 3)互連電阻 局域的互連:尺度的縮小不導(dǎo)致 RC的問題 ( 4)大尺度互連的 RC延遲(不同的等比例縮小規(guī)則) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) CMOS 延遲對(duì)器件參數(shù)的依賴 開關(guān)電阻、輸入電容和輸出電容 1. 延遲傳遞和延遲方程 (1) CMOS反相器鏈的延遲傳遞 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) (2) 延遲方程:開關(guān)電阻、輸入與輸出電容(有負(fù)載) 三級(jí)輸出: 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) (3) CMOS延遲等比例變化:理想情況下將等比例減小。 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) 2. 延遲對(duì)溝道寬度、長(zhǎng)度和柵氧化層厚度的依賴 ( 1) CMOS延遲對(duì) pMOSFET/nMOSFET寬度比的依賴 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué) ( 2)器件寬度效應(yīng)與負(fù)載電容 增大寬度將減小開關(guān)電阻,改善延遲。 半導(dǎo)體器件原理 南京大學(xué)
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