mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)(參考版)
2025-05-14 19:00本頁(yè)面
【正文】 N溝道 MOSFET ? ?TGSinM VVLCCf ?? 2OX2 ??P溝道 MOSFET ? ?TGSiPM VVLCCf ?? 2OX2 ??微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： t VIN VGS t t VDS IDS 10% 90% 10% td tr 90% 90% 10% ts tf VIN VOUT D S G 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 小尺寸 MOS器件 ? 短溝道效應(yīng) :閾值電壓下降 ? 窄溝道效應(yīng) :閾值電壓增加 P襯底 L S G D N+ N+ B 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 4. MOSFET的應(yīng)用 ? MOS反相器： MOS開(kāi)關(guān)電路 反相器的含義： 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： ? NMOS反相器 VIN VOUT VDD D S G D S G TL TI VIN VOUT VDD D S G D S G TL TI E/E E/D 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： ? CMOS 反相器： 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 0 1 0 1 B L A 0 0 1 1 輸 入 1 1 1 0 輸出 “與 非 ” 真值表 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 0 1 0 1 B L A 0 0 1 1 輸 入 1 0 0 0 輸出 “或 非 ” 真值表 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： ? 口訣 : NMOS在下串與并或 PMOS在上串或并與 。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： ? MOS的跨導(dǎo)： ????DSVGSDSm VIg? ? ? ? DSTGSDSDSTGSOXnDS VVVVVVVLCWI ???????? ??? ?? 2212)(2 TGSOXnDS VVLCWI ?? ?微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 飽和工作區(qū) ? ?TGSDs a tm VVVg ??? ??線性工作區(qū) DSm Vg ??跨導(dǎo)與 VDS成正比 在不考慮溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)的情況下，跨導(dǎo)與 VDS無(wú)關(guān)。 單位：電導(dǎo)（ 1/Ω），常用西門子（ S）表示。其作用像一個(gè)電流源，管子將進(jìn)入飽和工作區(qū)。 VDS稍大時(shí)，IDS上升變慢，特性曲線彎曲，如圖所示。 用相似的方法可以得到 N溝耗盡型， P溝增強(qiáng)型，P溝耗盡型 MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線，它們分別表示于圖（ b） ~（ d）。我們將 IDSS與 VGS之間的關(guān)系曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)MOS晶體管工作在飽和區(qū)時(shí)，工作電流為 IDSS。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 微電子專業(yè)核心課程
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