場效應(yīng)晶體管(參考版)
2025-07-21 18:48本頁面
【正文】 第四章 。 gm、 UT或 UP、 IDSS、 IDM、 U(BR)DS、 PDM和極間電容是它的主要參數(shù)。 場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)時，利用柵 源之間外加電壓所產(chǎn)生的電場來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制多子漂移運動所產(chǎn)生的漏極電流 iD。 晶體管有截止、放大、飽和三個工作區(qū)域，學(xué)習(xí)時應(yīng)特別注意使管子在不同工作區(qū)的外部條件。此時，可將iC看作為電流 iB控制的電流源。 第四章 三、晶體管 晶體管具有電流放大作用。利用 PN結(jié)擊穿時的特性可制成穩(wěn)壓二極管。 二極管加正向電壓時，產(chǎn)生擴散電流，電流和電壓成指數(shù)關(guān)系；加反向電壓時，產(chǎn)生漂移電流，其數(shù)值很??；體現(xiàn)出單向?qū)щ娦浴? 半導(dǎo)體有兩種載流子：自由電子和空穴。 正確理解 PN結(jié)單向?qū)щ娦?、反向擊穿特性、溫度特性和電容效?yīng)，有利于了解半導(dǎo)體二極管、晶體管和場效應(yīng)管等電子器件的特性和參數(shù)。 一、 PN結(jié) 在本征半導(dǎo)體中摻入不同雜質(zhì)就形成 N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體，控制摻入雜質(zhì)的多少就可有效地改變其導(dǎo)電性，從而實現(xiàn)導(dǎo)電性能的可控性。它的主要參數(shù)有 gm、 UT或 UP、 IDSS、 IDM、 U(BR)DS、 PDM和極間電容。 第四節(jié) 本 節(jié) 要 點 1. N溝道增強型 MOS管 場效應(yīng)管是利用柵 源極外加電壓 uGS產(chǎn)生的電場效應(yīng)來改變導(dǎo)電通道的寬窄，從而控制漏 源極間電流 iD的大小，可將 iD看作由電壓 uGS控制的電流源。 Q +125℃ +25℃ T= 55℃ iD(mA) uGS(V) uDS=10V 場效應(yīng)管 還有一些缺點：如 功率小，速度慢 等。 由圖可見 ， 不同溫度下的轉(zhuǎn)移特性的交點 Q（ 即工作點 ） 的ID、 UDS幾乎不受溫度影響 。 （ 6） 場效應(yīng)管 可作為壓控電阻使用。在同等條件下，場效應(yīng)管的放大能力不如晶體管高。 s g d R DZ1 DZ2 柵極過壓保護電路 當(dāng)電壓過高時，將有一個穩(wěn)壓管擊穿穩(wěn)壓，限制了 uGS的增大，起到保護管子的作用。 第四節(jié) （３） 場效應(yīng)管 的輸入電阻很大； 晶體管 的輸入電阻較小。 IDSS 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=0V 2 3 1 uDS(V) iD(mA) 4 1 2 3 4 特性曲線 第四節(jié) 三、場效應(yīng)管的特點 場效應(yīng)管與雙極型晶體管相比： （１） 場效應(yīng)管中 ，導(dǎo)電過程是多數(shù)載流子的漂移運動，故稱為單極型晶體管； 雙極型晶體管 中既有多子的擴散運動又有少子的漂移運動。 第四節(jié) UPuGS≤0 漏源級間加正向電壓 uDS再增大，夾斷區(qū)向下發(fā)展。 d N溝道 空間電荷區(qū) s g P uGS=0 s d g VGG P uGS UPuGS0 uGS≤ UP uGS對導(dǎo)電溝道的影響 第四節(jié) 柵源級間加反向電壓 漏級電位最高， PN結(jié)最寬，源級電位最低， PN結(jié)最窄。 s d g VDD VGG P 溝道 uGS uDS iD N s g d 第四節(jié) N溝道結(jié)型場效應(yīng)管 s d g VGG P uGS 改變 uGS的大小，就可以改變溝道寬窄，即改變溝道的電阻，從而控制 iD的大小。 iD(mA) 0 1 2 3 4 5
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