雙極和mos晶體管ppt課件(參考版)
2025-01-17 10:46本頁面
【正文】 低頻跨導 gm DSDmVGSigv???? ?2 n G S TNK V V??2()D n G S TNi K v V??以 MOS管為例 微電子技術基礎 BJT與 FET的比較 雙極型三極管 場效應三極管 結構 NPN型， PNP型 C與 E不可倒置使用 結型耗盡型： N溝道 P溝道 絕緣柵增強型： N溝道 P溝道 絕緣柵耗盡型： N溝道 P溝道 D與 S可倒置使用 載流子 多子、少子均參與導電 多子參與導電 輸入量 電流輸入 電壓輸入 控制 電流控制電流 電壓控制電流 。 飽和漏極電流 IDSS 微電子技術基礎 場效應管參數(shù) 低頻跨導指漏極電流變化量與柵壓變化量的比值，可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取。 微電子技術基礎 場效應管參數(shù) 當 VGS=0時， VDS|VP|時所對應的漏極電流。 微電子技術基礎 場效應管參數(shù) 開啟電壓 VGS(th) (或 VT) 開啟電壓是 MOS增強型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值 , 場效應管不能導通。 PMOS管的優(yōu)點是工藝簡單，制作方便；缺點是外加直流偏置為負電源，難與別的管子制作的電路接口。于是只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。 微電子技術基礎 N溝道耗盡型 MOS管 結構示意圖 在柵極下方的 SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。 MOS 管保護措施： 分立的 MOS 管： 各極引線短接、烙鐵外殼接地。 ? VDS?? 溝道 l ? ? 對于 l 較小的 MOS 管 ? 穿通擊穿。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V V 4 V V 溝道未形成時的工作區(qū) 條件： VGS VGS(th) ID = 0 以下的工作區(qū)域。 微電子技術基礎 數(shù)學模型： 若考慮溝道長度調(diào)制效應，則 ID 的修正方程： 工作在飽和區(qū)時 ， MOS 管的正向受控作用 ， 服從平方律關系式： 2G S ( t h )GSOXnD )(2 VVlWCI ?? ????????? ???ADS2G S ( t h )GSOXnD 1)(2 VVVVlWCI ?? ?DS2G S ( t h )GSOXn 1)(2 VVVl WC ?? ???其中， ? 稱 溝道長度調(diào)制系數(shù)，其值與 l 有關。 條件： VGS VGS(th) V DS VGS – VGS(th) 考慮到溝道長度調(diào)制效應 ， 輸出特性曲線隨 VDS 的增加略有上翹 。 DSG S ( t h )GSOXn )( VVVlWC ??
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