雙極型晶體管ppt課件-展示頁
2024-12-17 03:40本頁面
【正文】 E固定為不同的值，可畫出一族輸入特性曲線。 第三節(jié) 輸入信號 iC 負(fù)載 VCC VEE + b e c uBE iE iC通過 iE的控制作用而產(chǎn)生相應(yīng)的變化 集電極回路中接入的負(fù)載電阻上，仍可得到較大的輸出信號電壓。 共發(fā)射極放大電路 輸入信號 b e c VBB VCC 負(fù)載 iC iB + uBE 基極 電流 iB是由發(fā)射結(jié)間電壓 uBE控制的。 Rb VBB VCC N N P iE iB iC iEn iCn Bi?iCBO 第三節(jié) Rc (二）晶體管的電流分配關(guān)系 晶體管各 極的電流構(gòu)成 發(fā)射極電流 iE 大部分流入集電極形成 iCn 令 稱為共射電流直流 放大系數(shù) BCnii???VBB VCC Rb iB iC iE ICBO iCn iE Bi?第三節(jié) C B OBB Iii ????CBOBBCBOCnCCnBEBCEIiiIiiiiiiii??????????Rc CBOC E O )1( II ???C E OBC Iii ?? ?各極的電流分配關(guān)系 令 則 當(dāng) iB=0 時(shí)， iC=ICEO 稱 ICEO為穿透電流 如 ICEO≈0, 則 代表 iB對 iC的控制作用， 越大，控制作用越強(qiáng)。B，絕大部分?jǐn)U散到集電結(jié)邊界。這種接法以發(fā)射極為公共端。 P區(qū)接正 ,N區(qū)接負(fù) N區(qū)接正 ,P區(qū)接負(fù) 第三節(jié) 晶體管電源接法 共基接法 共射接法 在基極與發(fā)射極之間加正向電壓，基極與集電極之間加正向電壓，即以基極為公共端。雙 極 型 晶 體 管 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型 晶體管的電流分配關(guān)系和放大作用 晶體管的特性曲線 晶體管的主要參數(shù) 溫度對晶體管參數(shù)的影響 第四章 晶體管 硅晶體管 鍺晶體管 晶體管類型 NPN型 PNP型 第三節(jié) 雙極型晶體管可簡稱為晶體管，或半導(dǎo)體三極管，用 BJT（ Bipolar Junction Transistor）來表示。 b e c N P N N型硅 SiO2絕緣層 b c e N N型鍺 P 鋼球 鋼球 晶體管外形及結(jié)構(gòu)示意圖 NPN型硅管結(jié)構(gòu)圖 PNP型鍺管結(jié)構(gòu)圖 外形示意圖 3DG6 3AX31 第三節(jié) 三極管 三個(gè)區(qū) 二個(gè)結(jié) 三根引線 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射區(qū) 集電區(qū)，基區(qū)，發(fā)射區(qū) 集電結(jié)，發(fā)射結(jié) 集電極，基極，發(fā)射極 集電區(qū) 發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電結(jié) 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 發(fā)射結(jié) P N N P P N c b e c b c b e e c b e 集電極 基極 發(fā)射極 集電極 基極 發(fā)射極 PNP管 NPN管 晶體管的原理結(jié)構(gòu)圖和符號 第三節(jié) 晶體管 在結(jié)構(gòu) 上必須 具有下 面特點(diǎn) 發(fā)射區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于集電區(qū)摻 雜濃度，集電區(qū)摻雜濃度大于基 區(qū)摻雜濃度 基區(qū)必須很薄，一般只有幾微米 第三節(jié) 晶體 管放 大作 用原 理 內(nèi)部條件 外部條件 晶體管結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn) 晶體管的發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓。 在基極與發(fā)射極之間加正向電壓，集電極與發(fā)射極之間加一更大的正向電壓， 使 uCEuBE，這樣 uBC0，即 集電結(jié)反向偏置。 e VEE VCC c b N P
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