[工學(xué)]第三講雙極型晶體管-展示頁
2025-01-28 12:11本頁面
【正文】 ? EBE iu（五） BJT的結(jié)偏置電壓與各極電流的關(guān)系 ???? BCBE iiu 、?????1EBECii。 b c e RC EC EB Rb iB iC iE 發(fā)射結(jié)正偏電壓 uBE對各極電流的作用 ——正向控制作用。)1( BE II ???說明： BJT具有電流放大作用； IC受 IB控制， BJT為 電流控制器件 。EC II ??② IC 與 IB的關(guān)系 ： 定義： ——共射直流電流放大倍數(shù) ????? 1為幾十到幾百一般： ?BC II ????? 1BI??CEB III ??CI）（ 11 ??? CI???? 1。EI?? ?/: CE II ?或。 ?IB1 ?IEn 集電結(jié)反偏 集電區(qū)收集發(fā)射區(qū)擴(kuò)散過來的電子 ? ICBO 在外電場作用下，由發(fā)射區(qū)擴(kuò)散在集電結(jié)附近的非平衡少子漂移到集電區(qū) ?ICn 基區(qū)的電子漂移到集電區(qū) 集電區(qū)的空穴漂移到基區(qū) ICn ICBO （擴(kuò)散） ?IEP （漂移） 平衡少子的漂移 （四）放大偏置時 BJT各極電流的關(guān)系： IE =IEn+IEP ?IEn； IC =ICn+ICBO?ICn ； IB =IB1+IEPICBO 各極電流的構(gòu)成 ： 各極電流之間的關(guān)系 ： IE = IC+ IB ； ① IE 與 IC的關(guān)系 ： 對于給定的晶體管， 集電極收集的電子流是發(fā)射極發(fā)射的電子流的一部分，兩者的比值在一定的電流范圍內(nèi)是一個常數(shù)，用 表示。 b c e RC EC EB Rb IB IC IE （三）放大偏置時 BJT內(nèi)部載流子的傳輸過程 給 NPN型 BJT加適當(dāng)?shù)钠?： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 B C E VVV ??NPN型硅管。 EBC UUU ??VU BE ?發(fā)射結(jié)正偏壓降 : |UBE| = （ ） V （硅管） |UBE| = （ ） V （鍺管） 可識別發(fā)射極（所剩者即為集電極）；并判斷管子的材料； 可識別管子的類型（ NPN/PNP）。 （此時 BJT處于放大狀態(tài)） 放大偏置時 BJT三個電極的電流方向 例題：測得放大電路中的某只晶體管三個管腳的電位如圖所示：試判斷各個管腳對應(yīng)的電極，晶體管的結(jié)構(gòu)類型及材料。 P N P b c e + + UBE UCE b c e iC ie ib + + UBE UCE b c e iC ie ib N P N b c e 放大偏置時 BJT三個電極的電位關(guān)系： EBC UUUNP N ??:管EBC UUUP N P ??:管識別管腳和判斷管型的依據(jù) —是 BJT具有電流放大作用的外部條件。 要使 BJT具有放大作用，還必須給 BJT加合適的偏置。 + + NPN管比 PNP管應(yīng)用更廣泛，特別在一般的半導(dǎo)體集成電路中， NPN管性能優(yōu)于 PNP管，故重點(diǎn)討論 NPN管。167。 雙極型晶體三極管 BJT 雙極型三極管： Bipolar Junction Transistor 只有一種極性的載流子參與導(dǎo)電 . 三極管 有兩種極性的載流子參與導(dǎo)電 . 單極型三極管 (場效應(yīng)管 )： Field Effect Transistor 按工作頻率分：高頻管、低頻管 按功率分：小、中、大功率管 按材料分：硅管、鍺管 按結(jié)構(gòu)分： NPN型、 PNP型 BJT的類型： 一、 BJT的結(jié)構(gòu)和工作原理 二、 BJT的靜態(tài)特性曲線 三、 BJT的主要參數(shù) 四、 BJT的交流小信號模型 一、 BJT的結(jié)構(gòu)和工作原理 為什么 BJT具有放大作用？ BJT三個電極的電流關(guān)系是怎樣的？ 如何判斷電路中 BJT的工作狀態(tài)？ 問題： ? BJT是由兩個 PN結(jié)構(gòu)成的三端器件， 有兩種基本類型 : NPN型和 PNP型。 （一） BJT的結(jié)構(gòu)和符號 基區(qū) 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 發(fā)射極 基極 集電極 注意區(qū)分兩者的符號 箭頭方向表示電流的實(shí)際方向 BJT結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： （ 1）發(fā)射區(qū)高摻雜； （ 2）基區(qū)很薄，一般在幾微米至幾十微米；且摻雜濃度很低； （ 3）集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大 . ? 管芯結(jié)構(gòu)剖面圖 發(fā)射區(qū) 基 區(qū) 集電 區(qū) + －－是 BJT具有電流放大作用的內(nèi)部原因。 （二） BJT的放大偏置 什么叫放大偏置？ 放大偏置 ——“發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏”。 前提是 BJT處于放大狀態(tài)。 VVV ???EBC UUUNP N ??:管EBC UUUP N P ??:管基極電位 UB居中 （可先識別基極） ； NPN管各極的電位關(guān)系： UCUBUE； PNP管各極的電位關(guān)系： UCUBUE； B C E 該管為 PNP型硅管。 EBC UUUNP N ??:管EBC UUUP N P ??:管基極電位 UB居中 （可識別基極） ； NPN管各極的電位關(guān)系： UCUBUE； PNP管各極的電位關(guān)系： UCUBUE； 發(fā)射結(jié)壓降 : |UBE| = （ ） V （硅管） |UBE| = （ ） V （鍺管） 可識別發(fā)射極 ——集電極；判斷管子的材料； 可識別管子的類型（ NPN/PNP）。 CBE UUU ??VU BE ?EBC UUU ???例題：測得放大電路中的某只晶體管三個管腳的電位如圖所示：試判斷各個管腳對應(yīng)的電極，晶體管的結(jié)構(gòu)類型及材料。 b c e Rb EB RC EC b c e Rb EB RC EC N P N 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入大量電子
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