【正文】 E ? Uon 且 UCE ? UBE IC ? ? IB (IC隨 uCE的增大而增大 ) 臨界飽和 （臨界放大） UCE = UBE即 UCB = 0 ICS = ? IBS 溫度升高時，輸入特性曲線將左移，在室溫附近，溫度每升高 1℃ ， |UBE|減小2~。 管子飽和時的 UCE叫 UCES。A 80 181。A 40 181。 飽和區(qū) IC / mA UCE /V 0 IB= 0 181。 此時 IB ＞０， UCE 較小。 通常，認為 ? ≈ ? 。A 80 181。A 40 181。 飽和區(qū) IC / mA UCE /V 0 IB= 0 181。 特點： IB=0， IC ? 0 嚴格說， IB=0， IC≤ICEO 管子基本不導(dǎo)電。A 80 181。A 40 181。A 晶體管的三個工作區(qū)－ 截止區(qū) IB=0以下的區(qū)域 飽和區(qū) IC / mA UCE /V 0 IB= 0 181。A IB增加 IB 減小 IB = 20181。 0 UCE/V IC /mA IB =40181。 IB = 常數(shù) IC = f (UCE ) 2. 共射接法晶體管的輸出特性 對于每個確定的 IB均有一條對應(yīng)曲線，因此輸出特性是一 族 曲線。 VCC Rc c e b 公共端 VBB RB IB IC IE C N C C B OB B C B OI I II I I? ?????( 1 )C B C B O B C E OI I I I I? ? ?? ? ? ? ? ? ?CBII?? (1 )EBII??? 晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是： VCC Rc Ic Uce c e b Ube 輸出 回路 輸入 回路 公共端 Eb Rb Ib 共射接法晶體管的特性曲線 （以 NPN型為例說明） 對于 NPN型三極管應(yīng)滿足 : UBE 0(且 UBE ?Uon） UBC 0 即 UC UB UE 對于 PNP型三極管應(yīng)滿足 : UBE 0， UBC 0 即 UE UB UC IB = f (UBE ) UC E = 常數(shù) IB /?A UBE/V 0 UCE ≥ 1V 0V UCE=0，輸入特性曲線與PN結(jié)的伏安特性類似。 ２）外加直流電源保證：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。 ????? 1令 通常很大，19～ 199 （ I?B為在基區(qū)復(fù)合掉的電子數(shù)） 39。 共射直流電流放大系數(shù) ? ?是到達集電區(qū)的電子數(shù)和在基區(qū)中復(fù)合的電子數(shù)之比。 IE IB IC VCC VBB RC RB I?B IEN ICN c e b ICBO IEP 發(fā)射區(qū)發(fā)射的總電子數(shù)，絕大部分被集電區(qū)收集，極少部分在基區(qū)與空穴復(fù)合。 通常認為是發(fā) 射極開路時， bc間的反向飽和電流。 IE IB IC VCC VBB RC RB I?B IEN ICN c e b ICBO IEP 由于集電結(jié)反偏，所以有少子形成的漂移電流 ICBO。（不是 I?B ，因為還有少子的漂移電流 ICBO） IE IB IC VCC VBB RC RB I?B IEN ICN c e b ICBO IEP 發(fā)射區(qū)的電子大部分通過基區(qū)往集電區(qū)（ c區(qū)）擴散。 1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子 IE IB IC VCC VBB RC RB I?B IEN ICN c e b ICBO IEP 2）電子在基區(qū)的擴散與復(fù)合 發(fā)射區(qū)的電子注入基區(qū)后，小部分在基區(qū)被復(fù)合（ I?B )。 發(fā)射極電流 : IE= IEN+ IEP≈ IEN 。 ICBO：集電結(jié)的少子形成的漂移電流。 3）集電結(jié)加反向電壓，漂移運動形成集電極電流。 VCC Rc c e b 公共端 VBB RB IB IC IE ２ . 發(fā)射結(jié)加正向電壓， 集電結(jié)加反向電壓 (發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置 ) UBE ? Uon 且 UCE ? UBE IE IB IC N P N VCC VBB RC RB 1）發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴散運動形成發(fā)射極電流。 PNP型晶體三極管 集電區(qū) 集電結(jié) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 發(fā)射區(qū) P P 集電極 c 基極 b 發(fā)射極 e N e c b 符號 結(jié)構(gòu)示意圖 為了實現(xiàn)電流的控制和放大作用，晶體管的三個區(qū)在 結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度上有很大的不同。 按照摻雜方式的不同分為 NPN型 和 PNP型 兩種類型。 雙極型晶體三極管 引出的三個電極分別為： 發(fā)射極 e 、 基極 b和 集電極 c。 本章的重點與難點 難點 : 有關(guān)放大 、 動態(tài)和靜態(tài) 、 等效電路等概念的建立； 電路能否放大的判斷； 各種基本放大電路的性能分析； 而這些問題對于學好本課程至關(guān)重要 。 基本放大電路和放大電路的分析方法 。 放大的概念 。第 2章 雙極型晶體三極管 和基本放大電路 雙極型晶體三極管 晶體管放大電路的性能指標和工作原理 晶體管放大電路的圖解分析法 等效電路分析法 其他基本放大電路 思考： 21 216 習題： 24 27 28 210 212 214 217 219 224 225 第 2章 雙極型晶體三極管 和基本放大電路 本章的重點與難點 本章所講述的基本概念 、 基本電路和基本分析方法是學習后面各章的基礎(chǔ) 。 重點 : 雙極型晶體管的特性 。 放大電路的主要指標參數(shù) 。 包括共射 、 共集 、 共基放大電路的組成 、 工作原理 、 靜態(tài)和動態(tài)分析計算 。 雙極型晶體三極管的結(jié)構(gòu)及類型 在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域，三個區(qū)分別叫發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。 基區(qū)和集電區(qū)形成集電結(jié)，發(fā)射區(qū)和基區(qū)形成發(fā)射結(jié)。 集電區(qū) 集電結(jié) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 發(fā)射區(qū) N N 集電極 c 基極 b 發(fā)射極 e P e c b 符號 NPN型晶體三極管 結(jié)構(gòu)示意圖 箭頭方向代表 PN結(jié)的正向。 １ . 兩個 PN結(jié)無外加電壓 晶體管中的電流控制作用 （以 NPN型為例說明） 載流子運動處于動平衡，凈電流為零。 2）擴散到基區(qū)的自由電子與空穴的復(fù)合運動形成基極電流 。 （ 1）電流控制作用 VCC VBB RC RB IEP：基區(qū)中的多子空穴擴散運動形成的電流。 （ 1）電流控制作用 IEP ICBO 1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子 發(fā)射區(qū)（ e區(qū)）的多子電子通過發(fā)射結(jié)擴散到基區(qū)（ b區(qū)），形成擴散電流 IEN； （ 1）電流控制作用 IE IB IC VCC VBB RC RB I?B IEN ICN c e b ICBO IEP 基區(qū)（ b區(qū)）的多子空穴擴散到發(fā)射區(qū)（ e區(qū)），形成擴散電流IEP。 （多子形成的擴散電流） 電源負極向發(fā)射區(qū)補充電子形成發(fā)射極電流 IE。（基區(qū)的濃度低） VBB拉走電子，補充被復(fù)合的空穴，形成 IB 。（集電結(jié)電壓反向，增強了少子的漂移，基區(qū)的少子是電子） 3）電子被集電極收集的情況 ICN= IEN－ I?B 。 ICBO是基區(qū)和集電區(qū)的少子（平衡少子）在集電區(qū)與基區(qū)漂移運動形成的電流。 集電結(jié)反向飽和電流 IE IB IC VCC VBB RC RB I?B IEN ICN c e b ICBO IEP 晶體管的電流分配關(guān)系 從外部看 IE = IC+ IB IE = IEN+ IE