雙極和mos晶體管ppt課件-展示頁
2025-01-23 10:46本頁面
【正文】 ，基極電流 功耗大 飽和區(qū)中存儲電荷的存在 開關速度慢 開態(tài)電壓無法成為設計參數 設計 BJT的關鍵： 獲得盡可能大的 IC和盡可能小的 IB 缺點 微電子技術基礎 微電子技術基礎 167。1 微電子技術基礎 雙極型和 MOS晶體管 信息工程學院 姜梅 微電子技術基礎 一、雙極晶體管 1. 雙極晶體管的結構 由兩個相距 很近 的 PN結組成： 分為： NPN和 PNP兩種形式 基區(qū)寬度遠遠小于少子擴散長度 發(fā)射區(qū) 收集區(qū) 基區(qū) 發(fā)射結 收集結 發(fā)射極 收集極 基極 微電子技術基礎 NPN晶體管的電流輸運 NPN晶體管的電流轉換 電子流 空穴流 c b onc IXII ?? )( 4)()( 21 XIXII npe ?? c b orbpb IIXII ??? )( 1 cebIII ??2. 微電子技術基礎 共發(fā)射極的直流特性曲線 三個區(qū)域： 飽和區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) 微電子技術基礎 4. 晶體管的特性參數 晶體管的電流增益（放大系數 ） 共基極直流放大系數和交流放大系數 ?0 、 ? ecII?0?000 1 ??????? cecIII兩者的關系 ecii??????? 1共發(fā)射極直流放大系數交流放大系數 ?0、 ? bcII?0?bcii??微電子技術基礎 晶體管的反向漏電流和擊穿電壓 反向漏電流 Icbo： 發(fā)射極開路時，收集結的反向漏電流 Iebo： 收集極開路時，發(fā)射結的反向漏電流 Iceo： 基極開路時，收集極－發(fā)射極的反向漏電流 晶體管的主要參數之一 微電子技術基礎 晶體管的擊穿電壓 BVcbo BVceo BVebo BVceo是晶體管的重要直流參數之一。它標志在共 發(fā)射極運用時，收集級 發(fā)射級間能承受的最大反向 電壓。 MOS場效應晶體管 場效應晶體管的定義 是一種具有正向受控作用的半導體器件。 雙極型晶體管是通過控制基極電流達到控制集電極電流的 目的。 微電子技術基礎 場效應管 結型場效應三極管 JFET 絕緣柵型場效應三極管 IGFET Junction type Field Effect Transistor Insulated Gate Field Effect Transistor 分類 N溝道 P溝道 微電子技術基礎 金屬氧化物半導體三極管 MOSFET－ Metal Oxide
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