雙極晶體管ppt課件(2)-資料下載頁
2025-05-06 18:03本頁面
【正文】 ekTE aa1???????0??? dxdNeDENeJ apapp ?非均勻摻雜 ?電流公式修正： 基區(qū)： ??????????????????thBEBBinthBEBpnn VVpxneDVVxneDJ ex pex p020?????????? thBExinn VVdxxpneDJBex p)(02發(fā)射區(qū)： ??????????????????thBEEEipthBEEnpp VVnxneDVVxpeDJ ex pex p020??????????? thBExipp VVdxxnneDJEex p39。)39。(02感生 電場 等效電路模型 HybridPi模型 （ 1）發(fā)射結 —— 正偏 pn結： B B’ ?rjeC?C?? 39。39。ebVbrE er（ 2）集電結 —— 反偏 pn結： B’ C’ （ 3） CE電流 —— 耦合效應： E’ 39。39。ebmVg 0r sCcr C C B E ??n?pn?nC’ E’ 等效電路模型 HybridPi模型 （ 1）完整模型： B B’ ?rjeC?C?? 39。39。ebVbrE 39。39。ebmVg0rsCcrC C’ E’ er?r?C（ 2）簡化模型： ?r?C?? beVbemVgE B C E 等效電路模型 HybridPi模型 （ 1）等效電路： ?r?C?? beVbemVgE B C E （ 2）頻率響應： bI cI?rIV bbe ? bmbemc IrgVgI ??? ?? rgII mbc ??0?????????? ???? CrjrIVbbe 1?????CrjIIbci ??? 10??????????? ???? CrjrgIVgI mbbemb 1（ a）直流響應： （ b）交流響應： ??? ? Crf 21? 頻率上限 延時因子 發(fā)射區(qū)到集電區(qū)的總延時： cdbeec ????? ?????發(fā)射結電容充電時間： ? ??? CCr jeee ?? 39。EthBEEe IVdVdIr ?? /139。?基區(qū)渡越時間： ?? Bxb xvdx0 )(?nBb Dx22??sdd vx???集電結耗盡區(qū)渡越時間： ?集電結電容充電時間： ? ?scc CCr ?? ?? 頻率上限 晶體管截止頻率 ???ffji ?? 10ecf ??? 2 1?共基極 電流增益 ?????????ffjffj0000111 ??????????ffj?? 100???ff ?共發(fā)射極 電流增益 截止頻率 截止頻率 ?f?ff0?1? 大信號開關 開關特性 t0BBVRV?FV0?t 3tt?t0 1t 2t 3t 4t 5tdtcIrtstft)(satIcBRCRCIBI??CCV ?? BBV?? BEV（ 1）開關電路 （ 3）輸入信號 （ 4）輸出電流 BQCQBQ39?；鶇^(qū) 集電區(qū) 發(fā)射區(qū) 少子濃度 （ 2）電荷存儲 大信號開關 肖特基鉗位晶體管 （ 1）肖特基鉗位晶體管 BQ基區(qū) 集電區(qū) 發(fā)射區(qū) 少子濃度 （ 2）電荷存儲 E B C CQE B C C B E ??n?pn?n（ 3）肖特基鉗位晶體管 的集成 其它雙極晶體管 * ?多晶硅發(fā)射極晶體管 —— 提高了發(fā)射極注入效率和共基極電流增益 ?GeSi基區(qū)晶體管 —— 提高了共基極電流增益和截止頻率 ?異質結晶體管 —— 提高了發(fā)射極注入效率和截止頻率
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