雙極型半導(dǎo)體晶體管-資料下載頁(yè)
2025-05-12 23:17本頁(yè)面
【正文】 bemAV限流電阻++ 對(duì)于 U(BR)CER表示 BE間接有電阻， U(BR)CES表示 BE間是短路的。幾個(gè)擊穿電壓在大小上有如下關(guān)系 U(BR)CBO≈U(BR)CES＞ U(BR)CER＞ U(BR)CEO＞ U(BR) EBO 限流電阻cbe++mAVU(BR)EBO HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 溫度對(duì) ICBO的影響 ICBO是晶體管集電結(jié)反向飽和電流，由少數(shù)載流子形成。所以，在一定的溫度和不發(fā)生反向擊穿的條件下， ICBO是常數(shù)，不隨反向電壓的增加而增加。 但是溫度升高以后，半導(dǎo)體的本征激發(fā)增大，漂移電流增大， ICBO隨之增大。可以證明，溫度每升高 10℃ ， ICBO增加約一倍。反之，溫度降低時(shí)， ICBO也隨之降低。 由于硅晶體管的 ICBO比鍺晶體管的小很多，所以，硅晶體管的溫度穩(wěn)定性要優(yōu)于鍺晶體管。例如小功率硅管的 ICBO約為 10nA~1?A；鍺管的 ICBO約為 10 ?A~1mA。 溫度對(duì)晶體管參數(shù)的影響 HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 溫度對(duì)輸入特性曲線的影響 溫度對(duì)雙極型晶體管輸入特性曲線的影響，與溫度對(duì)PN結(jié)的影響類似。當(dāng)溫度升高時(shí)，正向特性將向縱坐標(biāo)移動(dòng)，大約溫度每增加 1℃ ， uBE的絕對(duì)值減小 2~。換言之，若 UBE不變，溫度的升高， iB將增加。 OiBuB EC EUV1//VμA20℃ 50℃ UBE1 UBE2 IB 圖 溫度對(duì)輸入特性的影響 HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 溫度對(duì)輸出特性曲線的影響 O6323uCE / ViC/ m A149 1 2B 1IB 2IB 3I0B?IB 1?IIB 2?B 3?I0B?I20?50?CEO?ICEOIC??IC?I 晶體管的輸出特性曲線在溫度升高后將向上方移動(dòng)，升溫后有如下后果： 1. 曲線上移后，穿透電流 ICEO增加； 2. 曲線上移后，相同的基極電流變化量 ?IB得到的?IC，溫度高的大于溫度低的 ?I39。C＞ ?IC 3. 晶體管的電流放大系數(shù)增加 ?39。＞ ? 4. 綜觀溫度對(duì)晶體管的影響，最終都?xì)w結(jié)到使 IC變化。 C??I C?I＞ 圖 溫度對(duì)輸出特性的影響 HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體三極管的命名如下 : 3 D G 110 B 第二位： A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位： X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關(guān)管 用字母表示材料 用字母表示器件的種類 用數(shù)字表示同種器件型號(hào)的序號(hào) 用字母表示同一型號(hào)中的不同規(guī)格 三極管 晶體管的型號(hào) HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 雙極型晶體管的參數(shù) 參 數(shù) 型 號(hào) P C M mW I C M mA V V V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 100 3DG123C 500 50 40 30 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤ 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注： *為 f? U(BR)CBO U(BR)CBO U(BR)CBO HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 圖 (a) 小、中功率晶體管圖片 (金屬圓殼封裝 ) HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 圖 (b) 小、中功率晶體管圖片 (塑封 ) HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 圖 (c) 大功率晶體管圖片 HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管
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