晶體硅太陽(yáng)電池工藝技術(shù)(存儲(chǔ)版)
【正文】 池制造的主要工藝流程是： 2021年 ， 日本三洋公司 （ Sanyo） 報(bào)道了一種新型的高效太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)和制造的方法 。 其中包括PESC電池 （ 發(fā)射結(jié)鈍化太陽(yáng)電池 ） 和表面刻槽絨面PESC電池；背面點(diǎn)接觸電池 （ 前后表面鈍化電池 ） ；PERL電池 （ 發(fā)射結(jié)鈍化和背面點(diǎn)接觸電池 ） 。 2）表面復(fù)合 ? 減少表面復(fù)合通常采用在硅表面生成一層介質(zhì)膜如二氧化硅 (SiO2)和氮化硅 (SiN)。 少數(shù)載流子在電池內(nèi)的壽命決定了電池的轉(zhuǎn)換效率 。 國(guó)際上晶片供應(yīng)商都是朝 220μ 方向看齊 ， 薄片化會(huì)對(duì)第三世界太陽(yáng)電池生產(chǎn)商而言會(huì)形成一道強(qiáng)大技術(shù)壁壘 。高郵江蘇順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司拉的 8吋單晶 ， 鎮(zhèn)江環(huán)太硅科技公司切片； 無(wú)錫尚德太陽(yáng)能電力有限公司剛之竣工一條年產(chǎn) 25MW， 生產(chǎn)單晶硅和多晶硅 156 156（ mm）、 150 150（ mm） 太陽(yáng)電池生產(chǎn)線。 1）體內(nèi)復(fù)合 ? 減少晶體硅體內(nèi)的復(fù)合 ， 首先要選用適當(dāng)?shù)膿诫s濃度的襯底材料 。 另外一種表面鈍化的方法是在電池表面形成高－低結(jié) (highlow junction)。 i n v e r t e d p y r a m i d sf i n g e rp p s i l i c o nnp p o x i d er e a r c o n t a c t o x i d e++p ++n +圖 5：實(shí)驗(yàn)室高效太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖 實(shí)驗(yàn)室高效太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)具有以下特點(diǎn)： 1) 表面采用了倒金字塔結(jié)構(gòu)進(jìn)一步減小光在前表面的反射并更有效地將進(jìn)入硅片的光限制在電池之內(nèi)； 2) 硅表面磷摻雜的濃度較低以減少表面的復(fù)合和避免表面 “ 死層 ” 的存在； 5) 前表面電極采用更匹配的金屬如鈦，鈀，銀金屬組合以進(jìn)一步減小電極與硅的接觸電阻； 3) 前后表面電極下面局部采用高濃度擴(kuò)散以減小電極區(qū)復(fù)合并形成好的歐姆接觸； 4) 前表面電極很窄（只有 20微米
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