晶體硅太陽(yáng)電池工藝技術(shù)-資料下載頁(yè)
2025-05-12 19:05本頁(yè)面
【正文】 Hi a S i : H圖 7 高效太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖 大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)太陽(yáng)電池制造 目前國(guó)際上大多數(shù)晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)廠家都采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)。這一技術(shù)是在七十年代形成的。因此已沒(méi)有產(chǎn)權(quán)歸哪一個(gè)生產(chǎn)廠家的說(shuō)法。這一技術(shù)對(duì)單晶硅和多晶硅都適用。圖 8描述了這一電池的結(jié)構(gòu)。 n+ +p +m e t a l2 0 0 ? m 3 m m圖 8 絲網(wǎng)印刷工藝生產(chǎn)的電池結(jié)構(gòu)示意圖 絲網(wǎng)印刷工藝過(guò)程包括： 表面金字塔的形成（以減少表面 反射）； 磷擴(kuò)散 （ 900oC 的高溫工藝）； 邊緣切割； 絲網(wǎng)印刷前表面電極； 絲網(wǎng)印刷后表面電極； 電極燒結(jié) (800oC 的高溫工藝 )； 前表面減反射膜噴涂。 由這一工藝生產(chǎn)的單晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率在 ％－ 16％之間，多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效 率在 13％－ ％之間。 絲網(wǎng)印刷技術(shù)具有以下特點(diǎn)： 為了使電極和硅表面形成好的歐姆接觸，由磷擴(kuò)散所形成的表面 n－ 型材料摻雜濃度偏高。 正如上面所陳述的，高濃度摻雜降低材料內(nèi)的少數(shù)載流子壽命 ,使得光生載流子不能得到有效地收集。而短波長(zhǎng)的太陽(yáng)光是被這一層材料吸收的，因此這些太陽(yáng)光的能量不能得到很好的利用 ,形成所謂的“死層”。 2 、電池前表面的復(fù)合高，因?yàn)殡姵氐那氨砻鏇](méi)有采取有效的鈍化措施。 受絲網(wǎng)技術(shù)的限制，前表面的金屬電極不能做的很窄，從而遮擋了光在硅片內(nèi)的有效吸收。取決于硅片的電阻率，由絲網(wǎng)印刷技術(shù)生產(chǎn)的晶體硅電池的開(kāi)路電壓在 580—620mV之間，短路電流密度在 28— 33mA/cm2之間，以及填充因子在 70%— 75%之間。對(duì)于大面積的電池，電池表面 10%15%面積被電池表面電極遮擋了。
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