太陽電池階段工藝總結(jié)pecv-資料下載頁
2024-11-26 17:14本頁面
【正文】 結(jié)后少子壽命測試（ us） 膜厚與折射率測量 最大值 最小值 平均值 中值 膜厚 (nm) 折射率 實驗 61 ① ② ③ ④ ⑤ 平均值 實驗 62 ① ② ③ ④ ⑤ 平均值 實驗 63 ① ② ③ ④ ⑤ 平均值 原工藝 ① ② ③ ④ ⑤ 平均值 實驗三結(jié)論 從測試的結(jié)果來看，實驗三的設(shè)計思想是正確的，充分發(fā)揮了 SiNx膜的鈍化和減反射作用。隨著底層 SiNx膜 Si/N比例的提高，其鈍化效果逐步增強，這從鍍膜后的少子壽命和電池片短路電流的變化規(guī)律可以證明。此外，實驗三充分結(jié)合設(shè)備特點，工藝切換簡單，只需要修改個別參數(shù)，同時 SiNx膜性能的提高不會犧牲產(chǎn)量，更不會增加成本。 4. 管式 PECVD和板式 PECVD的對比 設(shè)備特點介紹 PECVD目前有板式微波和管式兩種鍍膜設(shè)備，分別為Roth amp。 Rau和深圳捷佳創(chuàng)生產(chǎn)，兩種設(shè)備的鍍膜原理不同，薄膜的均勻性和鈍化的效果也會有所差異。在對比兩種設(shè)備的鍍膜效果之前我們應(yīng)該先了解一下它們各自的特點。 管式 PECVD： 即使用像擴散爐管一樣的石英管作為沉積腔室，使用電阻爐作為加熱體，將一個可以放置多片硅片的石墨舟插進石英管中進行沉積。使用的頻率為 。 板式微波法： 使用微波作為激發(fā)等離子體的頻段。微波源置于樣品區(qū)域之外，先將氨氣離化， 再轟擊硅烷氣，產(chǎn)生 SiNx分子沉積在樣品表面。使用頻率為 。 使用不同頻率的 PECVD系統(tǒng)，也各有一定的優(yōu)缺點： ◆ 頻率越低對硅片表面的損傷越嚴(yán)重。 ◆ 頻率越低離子進入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的鈍化。 各種方法都有其有缺點：從大的方面講，直接PECVD法對樣品表面有損傷，會增加表面少子的復(fù)合，但是也正是由于其對表面的轟擊作用，可以去除表面的一些自然氧化層，使得表面的雜質(zhì)原子得到抑制，另外直接法可以使得氫原子或氫離子更深入地進入到多晶硅晶界中，使得晶界鈍化更充分。 兩種設(shè)備的鍍膜效果對比 實驗對比了管式和板式鍍膜的均勻性和鈍化效果。經(jīng)過反復(fù)的實驗，捷佳創(chuàng)管式的均勻性較板式差，且鈍化沒有發(fā)揮應(yīng)有的效果。實驗的數(shù)據(jù)見附件。 5. 后期實驗計劃 1. 繼續(xù)完善實驗三，依據(jù)其變化的規(guī)律尋求工藝的最優(yōu)化； 2. 完善薄膜厚度對電池片效率影響的實驗，前面的實驗已經(jīng)證明了當(dāng)薄膜逐漸減小時，短路電流也隨之變小。但是實驗并沒有驗證當(dāng)薄膜厚度逐漸增加時，短路電流的變化如何。 3. 利用 α 硅作底層鈍化，并結(jié)合 SiNx膜作減反射。 4. 研究背面鈍化。
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