太陽(yáng)電池階段工藝總結(jié)pecv-資料下載頁(yè)
2024-11-26 17:14本頁(yè)面
【正文】 結(jié)后少子壽命測(cè)試（ us） 膜厚與折射率測(cè)量 最大值 最小值 平均值 中值 膜厚 (nm) 折射率 實(shí)驗(yàn) 61 ① ② ③ ④ ⑤ 平均值 實(shí)驗(yàn) 62 ① ② ③ ④ ⑤ 平均值 實(shí)驗(yàn) 63 ① ② ③ ④ ⑤ 平均值 原工藝 ① ② ③ ④ ⑤ 平均值 實(shí)驗(yàn)三結(jié)論 從測(cè)試的結(jié)果來(lái)看，實(shí)驗(yàn)三的設(shè)計(jì)思想是正確的，充分發(fā)揮了 SiNx膜的鈍化和減反射作用。隨著底層 SiNx膜 Si/N比例的提高，其鈍化效果逐步增強(qiáng)，這從鍍膜后的少子壽命和電池片短路電流的變化規(guī)律可以證明。此外，實(shí)驗(yàn)三充分結(jié)合設(shè)備特點(diǎn)，工藝切換簡(jiǎn)單，只需要修改個(gè)別參數(shù)，同時(shí) SiNx膜性能的提高不會(huì)犧牲產(chǎn)量，更不會(huì)增加成本。 4. 管式 PECVD和板式 PECVD的對(duì)比 設(shè)備特點(diǎn)介紹 PECVD目前有板式微波和管式兩種鍍膜設(shè)備，分別為Roth amp。 Rau和深圳捷佳創(chuàng)生產(chǎn)，兩種設(shè)備的鍍膜原理不同，薄膜的均勻性和鈍化的效果也會(huì)有所差異。在對(duì)比兩種設(shè)備的鍍膜效果之前我們應(yīng)該先了解一下它們各自的特點(diǎn)。 管式 PECVD： 即使用像擴(kuò)散爐管一樣的石英管作為沉積腔室，使用電阻爐作為加熱體，將一個(gè)可以放置多片硅片的石墨舟插進(jìn)石英管中進(jìn)行沉積。使用的頻率為 。 板式微波法： 使用微波作為激發(fā)等離子體的頻段。微波源置于樣品區(qū)域之外，先將氨氣離化， 再轟擊硅烷氣，產(chǎn)生 SiNx分子沉積在樣品表面。使用頻率為 。 使用不同頻率的 PECVD系統(tǒng)，也各有一定的優(yōu)缺點(diǎn)： ◆ 頻率越低對(duì)硅片表面的損傷越嚴(yán)重。 ◆ 頻率越低離子進(jìn)入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的鈍化。 各種方法都有其有缺點(diǎn)：從大的方面講，直接PECVD法對(duì)樣品表面有損傷，會(huì)增加表面少子的復(fù)合，但是也正是由于其對(duì)表面的轟擊作用，可以去除表面的一些自然氧化層，使得表面的雜質(zhì)原子得到抑制，另外直接法可以使得氫原子或氫離子更深入地進(jìn)入到多晶硅晶界中，使得晶界鈍化更充分。 兩種設(shè)備的鍍膜效果對(duì)比 實(shí)驗(yàn)對(duì)比了管式和板式鍍膜的均勻性和鈍化效果。經(jīng)過(guò)反復(fù)的實(shí)驗(yàn)，捷佳創(chuàng)管式的均勻性較板式差，且鈍化沒(méi)有發(fā)揮應(yīng)有的效果。實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)見(jiàn)附件。 5. 后期實(shí)驗(yàn)計(jì)劃 1. 繼續(xù)完善實(shí)驗(yàn)三，依據(jù)其變化的規(guī)律尋求工藝的最優(yōu)化； 2. 完善薄膜厚度對(duì)電池片效率影響的實(shí)驗(yàn)，前面的實(shí)驗(yàn)已經(jīng)證明了當(dāng)薄膜逐漸減小時(shí)，短路電流也隨之變小。但是實(shí)驗(yàn)并沒(méi)有驗(yàn)證當(dāng)薄膜厚度逐漸增加時(shí)，短路電流的變化如何。 3. 利用 α 硅作底層鈍化，并結(jié)合 SiNx膜作減反射。 4. 研究背面鈍化。
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