非晶硅薄膜太陽能電池-pecv-資料下載頁
2025-05-02 06:45本頁面
【正文】 在峰一峰值變小和振蕩周期畸變上，隨著厚度不均勻度增大而越加明顯，但是減小照射面積可有效地降低這種影響． ? 參考文獻(xiàn)： ? 陳冶明． 非晶半導(dǎo)體材料和器件 EM]． 北京：科學(xué)出版社， 1991． 166～ 415． ? Ying Xuantong， Feldman A ， Farabaugh E N． Fitting of tranm ission data for determining the optical constants and thicknesses of opticalfilmsEJ39。]． J． App1． Phys．，1990， 67(4)： 2056． NIP型非晶硅薄膜太陽能電池 ? 在 NIP 太陽能電池中 ,采用適當(dāng)晶化的晶化硅薄膜作為P型窗口層 ,晶化硅薄膜高的電導(dǎo)可以提高 NIP 結(jié)的內(nèi)建電勢(shì) ,改善 TCO 膜和 P 型窗口層間的 N/ P 界面隧穿特性 ,降低電池的串聯(lián)電阻 。另外 ,適當(dāng)晶化的 P 型晶化硅薄膜可以提高窗口層的光學(xué)帶隙 ,得到高的開路電壓和短路電流 ,從而得到高的光電轉(zhuǎn)換效率。但是 ,在非晶硅 (aSi) 層表面生長 P 型晶化硅薄層非常困難 ,即使在很高的 H 稀釋率下 ,在 aSi 層表面生長的 P 型晶化硅薄層仍然極有可能是非晶結(jié)構(gòu) 。如何處理好 I/ P 界面 ,在 aSi 表面生長出合適的 P 型晶化硅薄膜 ,是制備優(yōu)質(zhì)的 NIP 型 aSi 電池的關(guān)鍵問題之一。 ? 在 NIP 型 aSi 太陽能電池的研究中 ,使用晶化硅薄膜作為電池窗口層 ,顯著提高了電池的開路電壓和轉(zhuǎn)換效率 。國內(nèi)在該領(lǐng)域也取得了相當(dāng)?shù)倪M(jìn)展 ,但由于制備工藝復(fù)雜和對(duì)設(shè)備性能的高要求 ,目前還沒有制備出高效率 NIP 電池的報(bào)導(dǎo) . 實(shí) 驗(yàn)
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