cigs薄膜太陽能電池(1)-資料下載頁
2025-05-14 22:47本頁面
【正文】 術(shù)、化學(xué)氣相沉積、分子束外延、噴射熱解等。 ? 其中蒸鍍法所制備的 CIS太陽能電池轉(zhuǎn)換效率最高。 ? 另外 ,電沉積工藝也以其簡單低廉的制作過程得到了廣泛研究 ,有相當(dāng)?shù)膽?yīng)用前景 問題以及前景 ? CIS光伏材料優(yōu)異的性能吸引世界眾多專家研究了 20年 ,直到 2021年才初步產(chǎn)業(yè)化 ,其主要原因在于 工藝的重復(fù)性差 ,高效電池成品率低 。 CIS(CIGS)薄膜是 多元化合物半導(dǎo)體 ,原子配比以及晶格匹配性往往依賴于制作過程中對主要半導(dǎo)體工藝參數(shù)的精密控制 。目前 ,CIS薄膜的基本特性及晶化狀況還沒有完全弄清楚 ,無法預(yù)測 CIS材料性能和器件性能的關(guān)系。 CIS膜與 Mo襯底間較差的附著性 也是成品率低的重要因素。同時在如何降低成本方面還有很大空間。以上這些都是世界各國研究 CIS光伏材料的發(fā)展方向。 CIGS薄膜太陽能電池的制備 ? CIGS薄膜太陽能電池的底電極 Mo和上電極 nZnO一般采用 磁控濺射的方法 ,工藝路線比較成熟 ? 最關(guān)鍵的吸收層的制備有許多不同的方法，這些沉積制備方法包括 :蒸發(fā)法、濺射后硒法、電化學(xué)沉積法、噴涂熱解法和絲網(wǎng)印刷法 補(bǔ)充 : 磁控濺射 1. 襯底溫度保持在約 350 ℃ 左右，真空蒸發(fā) In， Ga， Se三種元素，首先制備形成 (In， Ga)Se預(yù)置層。 2. 將襯底溫度提高到 550一 580℃ ，共蒸發(fā) Cu， Se，形成表面富 Cu的ＣＩＧＳ薄膜。 3. 保持第二步的襯底溫度不變，在富 Cu的薄膜表面再根據(jù)需要補(bǔ)充蒸發(fā)適量的 In、 Ga、 Se，最終得到ＣｕＩｎ １－ｘ Ｇａ ｘＳｅ ２ 的薄膜。 三 步 共 蒸 發(fā) 法
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