cis以及cigs太陽(yáng)能電池板專(zhuān)題講座ppt-資料下載頁(yè)
2025-03-22 03:04本頁(yè)面
【正文】 分為CulnGaSe2的薄膜。 三步法與其它制備工藝相比，沉積得到的 CIGS薄膜，具有更加平整的表面，薄膜的內(nèi)部非常致密均勻。從而減少了 CIGS層的粗糙度，這就可以改善 CIGS層與緩沖層的接觸界面，在減少漏電流的情況下，提高了內(nèi)建電場(chǎng)，同時(shí)也消除了載流子的復(fù)合中心。 3段法多用于高效率電池片的制作。目前為止得到17%以上的轉(zhuǎn)化效率的電池用的都是 3段法。 ? Cu、 In、 Ga與基板結(jié)合系數(shù)高，故利用各原子流量可控制薄膜中各成分比及沉積速率， In與 Ga相對(duì)比例決定了能隙寬度大小 ? Se高蒸汽壓、低附著系數(shù)，故薄膜成分中比例少于原子流量中個(gè)數(shù)。 ? 同步蒸鍍法優(yōu)點(diǎn)： ? 自由控制薄膜成分，及能隙寬度 ? 電池效率高 ? 同步蒸鍍法缺點(diǎn)： ? Cu揮發(fā)較難控制，即操作較難 ? 大面積商業(yè)化前景不明朗 ? CIGS高品質(zhì)薄膜制備：雙層制造 ? 先蒸鍍 2微米 Curich CIGS ? 再蒸鍍 1微米 Inrich CIGS ? 該結(jié)構(gòu) CIGS已成功應(yīng)用到太陽(yáng)電池中 CIGS薄膜技術(shù) — 硒化法 ? 硒化法又稱(chēng)兩步法，主要用于大面積模板的制造。 ? 先 Cu、 In、 Ga蒸鍍到基板上，然后常壓下與 H2Se反應(yīng)生成 CIGS薄膜 ? 硒化法太陽(yáng)電池效率可達(dá)到 16% ? 反應(yīng)溫度： 400500度 ? 反應(yīng)時(shí)間： 3060分鐘 ? 方程式： ? 硒化法優(yōu)點(diǎn)： ? 金屬薄膜（ Cu、 In、 Ga）沉積技術(shù)成熟 ? 高溫反應(yīng)時(shí)間縮短，故成本低 ? 硒化法缺點(diǎn)： ? CIGS能隙寬度難以改變：組分控制較難； ? CIGS與基板結(jié)合強(qiáng)度差 ? H2Se有毒 22 ( ) 2 ( )I n G a S e C u I n G a S e?2+ C u S e + S e硒化法制備過(guò)程 在硒化法中，首先用蒸鍍法在 Mo上形成 CuGS/In的預(yù)備層，然后一邊讓H2Se流動(dòng)一邊對(duì)基片進(jìn)行升溫，進(jìn)行合金化形成 CIGS，再在溫度上升的同時(shí)，用 H2S進(jìn)行硫化，這時(shí)僅在表面附近形成 S含量較高的 Cu(InGa)(SeS)2，S有增加表面禁帶寬度的效果，同時(shí)也可將缺陷進(jìn)行鈍化。 設(shè)定溫度 時(shí)間 升溫 硒化工程 硫化工程 冷卻 In CuGa Mo 玻璃 硒化 CIGS Mo 玻璃 硫化 CIGS表面層 CIGS Mo 玻璃 ? CIS， CIGS制造方法： ? 商業(yè)主要采用 Shell Solar真空程序法：投資大，設(shè)備貴。 ? 實(shí)驗(yàn)室同步蒸鍍法：大規(guī)模生產(chǎn)難度大，商業(yè)化難度高。 ? ISET非真空納米法：研發(fā)階段，商業(yè)化進(jìn)程期待中 ? CIGS面臨挑戰(zhàn)： ? 制造程序復(fù)雜，投資成本高； ? 關(guān)鍵原料供應(yīng)不足； ? CdS毒性 六、 CIGS電池未來(lái)發(fā)展 ? CIGS高轉(zhuǎn)化效率、低制造成本，未來(lái)具有開(kāi)發(fā)潛力薄膜電池之一 ? CIGS抗輻射性，可做在柔性基材上，太空應(yīng)用前景可觀(guān) ? 制約 CIGS普及的關(guān)鍵問(wèn)題：技術(shù)成熟化程度降低成本 ? 單接面向多接面發(fā)展 研發(fā)領(lǐng)域的新進(jìn)展 ?Cd的自由緩沖層 ?柔性基片 ?S系、 Al系等新材料 ?聚光電池片 ?宇宙空間應(yīng)用 ?4端子串聯(lián)的高效率化 安裝在北威爾士 St Asaph 的 Welsh Development Agency光學(xué)中心 由 CIS 太陽(yáng)電池組件組成的 85 kW光伏電站
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1